型号 SI2369DST1GE3丝印 VB2355品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 5.6A 导通电阻 47mΩ@10V, 56mΩ@4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1Vth 封装 SOT23应用简介 SI2369DST1GE3是一款P沟道MOSFET，适用于负极电压控制和负载开关的应用。其最大耐压为30V，最大电流为5.6A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括 1. 电源管理模块 适用于负责电源开关和负载开关控制的电源管理模块。2. 电动工具 可用于电动工具中的负极电源控制和负载开关。3. 家用电器模块 适用于家用电器领域中的负极电源控制和负载开关。总之，SI2369DST1GE3适用于负极电压控制和负载开关等应用领域的模块设计，主要用于电源管理、电动工具和家用电器模块等。
SI2369DS-T1-GE3-VB-SOT23封装P沟道MOSFET
型号:
SI2369DS-T1-GE3-VB
品牌:
VBsemi(微碧)