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WD4000系列半导体晶圆几何形貌自动检测机采用高精度光谱共焦传感技术、光干涉双向扫描技术,完成非接触式扫描并建立3D Mapping图,实现晶圆厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等反应表面形貌的参数。

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WD4000自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。

1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等参数,同时生成Mapping图;

2、采用白光干涉测量技术对Wafer表面进行非接触式扫描同时建立表面3D层析图像,显示2D剖面图和3D立体彩色视图,高效分析表面形貌、粗糙度及相关3D参数;

3、基于白光干涉图的光谱分析仪,通过数值七点相移算法计算,达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度,实现膜厚测量功能;

4、红外传感器发出的探测光在Wafer不同表面反射并形成干涉,由此计算出两表面间的距离(即厚度),可适用于测量BondingWafer的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度,包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。

 

产品优势

1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量

WD4000系列半导体晶圆几何形貌自动检测机集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组,使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。

2、高精度厚度测量技术

(1)采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。

(2)搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘,晶圆规格最大可支持至12寸。

(3)采用Mapping跟随技术,可编程包含多点、线、面的自动测量。

3、高精度三维形貌测量技术

(1)采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法,Z向分辨率高可到0.1nm;

(2)隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声,获得高测量重复性。

(3)机器视觉技术检测图像Mark点,虚拟夹具摆正样品,可对多点形貌进行自动化连续测量。

4、大行程高速龙门结构平台

(1)大行程龙门结构(400x400x75mm),移动速度500mm/s。

(2)高精度花岗岩基座和横梁,整体结构稳定、可靠。

(3)关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动,搭配分辨率0.1μm的光栅系统,保证设备的高精度、高效率。

5、操作简单、轻松无忧

(1)集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄,可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。

(2)具备双重防撞设计,避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。

(3)具备电动物镜切换功能,让观察变得快速和简单。

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WD4000系列半导体晶圆几何形貌自动检测机可广泛应用于衬底制造、晶圆制造、及封装工艺检测、3C电子玻璃屏及其精密配件、光学加工、显示面板、MEMS器件等超精密加工行业。可测各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面,从纳米到微米级别工件的厚度、粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等,提供依据SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT四大国内外标准共计300余种2D、3D参数作为评价标准。

 

应用场景

1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量

通过非接触测量,将晶圆上下面的三维形貌进行重建,强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV),有效保护膜或图案的晶片的完整性。

无图晶圆厚度、翘曲度的测量2.jpg

2、无图晶圆粗糙度测量

Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像,用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片,细磨硅片粗糙度集中在5nm附近,以25次测量数据计算重复性为0.046987nm,测量稳定性良好。

细磨片25次测量数据Sa曲线图.jpg

恳请注意:因市场发展和产品开发的需要,本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改,恕不另行通知,不便之处敬请谅解。

 

部分技术规格

品牌CHOTEST中图仪器
型号ED4000

厚度和翘曲度测量系统

可测材料

砷化镓 ;氮化镓 ;磷化 镓;锗;磷化铟;铌酸锂;蓝宝石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等

测量范围

150μm~2000μm

扫描方式

Fullmap面扫、米字、自由多点

测量参数

厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度

三维显微形貌测量系统

测量原理

白光干涉

干涉物镜

10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)

可测样品反射率

0.05%~100

粗糙度RMS重复性

0.005nm

测量参数

显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数

膜厚测量系统

测量范围

90um(n= 1.5)

景深

1200um

最小可测厚度

0.4um

红外干涉测量系统

光源

SLED

测量范围

37-1850um

晶圆尺寸

4"、6"、8"、12"

晶圆载台

防静电镂空真空吸盘载台

X/Y/Z工作台行程

400mm/400mm/75mm

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