型号 SI4401DDYT1GE3丝印 VBA2412品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 40V 最大电流 11A 导通电阻 13mΩ@10V, 17mΩ@4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.7Vth 封装 SOP8应用简介 SI4401DDYT1GE3 是一款 P沟道MOSFET，适用于负极电压控制和负载开关的中功率应用。其最大耐压为40V，最大电流为11A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括 1. 电源管理模块 适用于负责电源开关和负载开关控制的电源管理模块。2. 电动工具 可用于电动工具中的负载开关和电源控制。3. 汽车电子模块 适用于汽车电子系统中的负载开关和电源控制。总之，SI4401DDYT1GE3 适用于负极电压控制和负载开关的中功率应用领域的模块设计，主要用于电源管理、电动工具和汽车电子模块等。
SI4401DDY-T1-GE3-VB-SOP8封装P沟道MOSFET
型号:
SI4401DDY-T1-GE3-VB
品牌:
VBsemi(微碧)