MA4M3030 MNS微波芯片电容器

型号: MA4M3030 MNS微波芯片电容器

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MA4M3030 MNS微波芯片电容器

重要参数

 

MA4M3030  MNS微波芯片电容器

电容(PF):30

隔离电压(V):200

芯片样式:352

产品详情介绍

M/A-COM的MA4M系列MNS(金属氮化物硅)硅片电容器专为微波威廉希尔官方网站 应用中的高可靠性和可重复性能而设计。这些电容器是用低压化学气相沉积(LPCVD)制造的,这种沉积可以形成致密、均匀的氮化物层。这些电容器比类似的MOS、MIS和陶瓷电容器表现出更高的单位面积电容(导致芯片尺寸更小)。蒸发金触点用于在电容器芯片上提供易于粘合的金属垫。M/A-COM MNS电容器在150℃的额定电压下没有显示出可测量的电容变化。

MA4M系列片式电容器是一个很好的选择,用于Ku波段以上的混合微波威廉希尔官方网站 中,低损耗、高可靠性、小尺寸和温度稳定性是主要考虑因素。

这些片式电容器适用于需要直流模块、耦合电容器、旁路电容器、电容负载和振荡器、乘法器和滤波器中的调谐元件的应用。

 

MA4M3030特征

•极好的重复性(晶圆对晶圆和批次对批次)

•小尺寸

•低损耗,高Q值

•提供圆形或方形焊盘

 

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