5月10日消息 南韩近期启动「X-band GaN国家计划」冲刺第三代半导体，三星积极参与。由于市场高度看好第三代半导体发展，台积电、世界等台厂均已卡位，三星加入南韩官方计划冲刺第三代半导体布局
2021-05-10 16:00:57
2569 系列为例，介绍trr的高速化带来的优势。高速trr SJ-MOSFET： PrestoMOS FN系列PrestoMOS是具备SJ-MOSFET的高耐压、低导通电阻及低栅极总电荷量特征、且进一步实现了
2018-11-28 14:27:08
号的MOSFET是平面结构，而SJ MOSFET仅仅是结构不同。当然，还有杂质浓度等细小差异。SJ MOSFET因结构不同，导通电阻RDS(ON)(ON)与栅极电荷量Qg显著降低。SJ MOSFET本身其他
2019-04-29 01:41:22
系列Hybrid MOS是同时具备超级结MOSFET（以下简称“SJ MOSFET”）的高速开关和低电流时的低导通电阻、IGBT的高耐压和大电流时的低导通电阻这些优异特性的新结构MOSFET。下面为
2018-11-28 14:25:36
瑞萨车载导航系统解决方案 下载：
2015-01-09 17:03:43
在2023年上半年发布包含新栅极驱动IC的版本。瑞萨电子汽车模拟应用特定业务部副总裁大道昭表示：“瑞萨很高兴面向车载应用推出具有高隔离电压和卓越CMTI性能的第二代栅极驱动IC。我们将继续推动针对电动车
2023-02-15 11:19:05
2023 年 3 月 2 日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出10款结合了瑞萨广泛产品的全新“成功产品组合”——其中包括电动汽车（EV）充电、仪表盘
2023-03-02 14:29:51
瑞萨电子与3db Access合作推出安全超宽带解决方案
2021-02-05 07:05:13
、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。SiC功率器件在C波段以上受频率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
？到了上个世纪六七十年代，III-V族半导体的发展开辟了光电和微波应用，与第一代半导体一起，将人类推进了信息时代。八十年代开始，以碳化硅SiC、氮化镓GaN为代表的第三代半导体材料的出现，开辟了人类
2017-05-15 17:09:48
KSZ8873RLL-EVAL，KSZ8873RLL评估板是第三代完全集成的3端口开关。 KSZ8873RLL的两个PHY单元支持10BASE-T和100BASE-TX。 KSZ8873RLL支持
2020-05-15 08:48:50
UTC-1212SE
第三代无线通信模块
产品描述
【产品特点:】配我们公司专门的高增益8.5cm棒状天线，开阔地距离可以达到700-1000米！
(1) 配置我们
2010-12-02 20:31:50
３Ｇ定义 ３Ｇ是英文３rd Generation的缩写，至第三代移动通信技术。相对于第一代模拟制式手机（１Ｇ）和第二代GSM、TDMA等数字手机（２Ｇ）来说，第三代手机是指将无线通信与国际互联网等
2019-07-01 07:19:52
第三代移动通信过渡技术——EDGE作者：项子GSM和TDMA/136现在是全球通用的第二代蜂窝移动通信标准。当前有100多个国家的1亿多人采用GSM，有近100个国家的约9500万用户采用 TDMA
2009-11-13 21:32:08
（PATRO）高解析强光抑制摄像机、帕特罗（PATRO）远距离红外一体摄像机、帕特罗（PATRO）红外防雷摄像机 正当IR-III技术以新脸孔出现在红外夜视市场时，市场上也出现了第三代阵列式红外摄像机，造成
2011-02-19 09:35:33
红外夜视领域领先技术，在产品性能与应用等方面上与激光红外相比，有明显的优势。广州帕特罗（PATRO）的第三代红外摄像机以单颗灯完全取代多颗灯模式，电光转化效能最高可达85%以上，降低了功耗，使用寿命
2011-02-19 09:38:46
DT298还具备了几个很有特色的实用功能，除了全程语音操控外，停车监控也是它的亮点之一。就是在车辆停放期间，凌度DT298第三代联网记录仪如果感应到车身有震动时，会自动开启摄像头同时开始录像，监控车辆情况
2019-01-08 15:44:58
的电阻率，因而导通电阻较常规MOSFET将明显降低。 通过以上分析可以看到：阻断电压与导通电阻分别在不同的功能区域。将阻断电压与导通电阻功能分开，解决了阻断电压与导通电阻的矛盾，同时也将阻断时的表面
2023-02-27 11:52:38
MOSFET的低噪声特性与SJ MOS的低导通电阻特性的系列产品。下面是ROHM第一代标准特性的AN系列、其他公司同等产品及EN系列的噪声特性比较图。EN系列因其保持了平面MOSFET的噪声水平、且导通电阻
2018-12-05 10:00:15
LED:节能环保的第三代照明技术1、半导体照明 LED：变革照明的第三代革命1.1LED 代替白炽灯—任重而道远自 20 世纪 60 年代世界第一个半导体发光二极管诞生以来，LED 照明因具 有
2011-09-28 00:12:44
[/url]产品特性瑞萨电子第三代OFDM PLC芯片具有以下主要特点：1、784KB 片上RAM， 可支持2048节点的路由表2、片上12bit高精度DAC，大大降低带外噪声3、支持完整的EAP
2019-04-11 17:15:41
瑞士微型数字传感器生产商Sensirion公司推出第三代MEMS流量传感器，用于对微流体系统的流量进行数字化测量。 新型OEM传感器通过使用OEM组件，原有微流体产品范围得到扩大。组件价格优惠
2018-10-26 16:29:10
说明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常见的结构。Si的功率MOSFET，因其高耐压且可降低导通电阻，近年来超级结（Super Junction）结构的MOSFET（以下简称“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
、SJ-MOSFET的10分之1，就可以实现相同的导通电阻。 不仅能够以小封装实现低导通电阻，而且能够使门极电荷量Qg、结电容也变小。 SJ-MOSFET只有900V的产品，但是SiC却能够以很低
2023-02-07 16:40:49
情况下，SiC可以得到标准化导通电阻（单位面积导通电阻）更低的器件。例如900V时，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以实现相同
2019-04-09 04:58:00
情况下，SiC可以得到标准化导通电阻（单位面积导通电阻）更低的器件。例如900V时，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以实现相同
2019-05-07 06:21:55
`第一代没有留下痕迹。第二代之前在william hill官网
展示过：https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html现在第三代诞生：`
2013-08-10 15:35:19
`[/url]产品特性瑞萨电子第三代OFDM PLC芯片具有以下主要特点：1、784KB 片上RAM， 可支持2048节点的路由表2、片上12bit高精度DAC，大大降低带外噪声3、支持完整的EAP
2019-04-14 16:11:45
，反而会引起更严重的EMI问题，导致整个系统不能稳定工作。所以需要在减少MOSFET的损耗的同时需要兼顾模块电源的EMI性能。MOSFET的损耗主要有以下部分组成：MOSFET导通与关断过程中都会产生
2019-09-25 07:00:00
;Reliability (可靠性) " ，始终坚持“品质第一”SiC元器有三个最重要的特性：第一个高压特性，比硅更好一些；而是高频特性；三是高温特性。 罗姆第三代沟槽栅型SiC-MOSFET对应
2020-07-16 14:55:31
产品特性瑞萨电子第三代OFDM PLC芯片具有以下主要特点：1、784KB 片上RAM， 可支持2048节点的路由表2、片上12bit高精度DAC，大大降低带外噪声3、支持完整的EAP/ADP
2019-04-22 14:07:14
近日，华硕正式发布EeePCShell贝壳机，标志上网本市场正式进入第三代。华硕EeePC全球产品经理吴南磬表示，今后的每款EeePC在设计之初都将预留3G模块的位置，并透露EeePC与传统笔记本将
2009-07-01 22:40:05
据业内权威人士透露，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，...
2021-07-27 07:58:41
什么是第三代移动通信答复：第三代移动通信系统IMT2000，是国际电信联盟（ITU）在1985年提出的，当时称为陆地移动系统（FPLMTS）。1996年正式更名为IMT2000。与现有的第二代移动
2009-06-13 22:49:39
随着第三代移动通信技术的兴起，UMTS网络的建立将带来一场深刻的革命，这对网络规划也提出了更高的要求。在德国轰动一时的UMTS执照拍卖，引起了公众对这一新技术的极大兴趣。第三代移动通信网络的建设正方
2019-08-15 07:08:29
IR-III技术定义(IR-III Technology Definition)IR-III技术即红外夜视第三代技术，根植于上世纪60年代美国贝尔实验室发明的红外夜视技术，属于一种主动式红外
2011-02-19 09:34:33
基于第三代移动通信系统标准的ALC控制方案的设计与实现
2021-01-13 06:07:38
：Gen1》 Gen2 》 Gen3 VF：Gen1》 Gen2 》 Gen3 产品优点 综上所述，基本半导体推出的第三代碳化硅肖特基二极管有以下优点： 更低VF：第三代二极管具有更低VF，同时
2023-02-28 17:13:35
客户采用的是SCS2系列。包括不同的封装和电流规格等在内，已经实现近50个机型的量产供应。第三代是2016年4月推出的SCS3系列。SCS后面的数字表示各代。－那么接下来请您介绍一下第三代SiC-SBD
2018-12-03 15:11:25
结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。沟槽结构在Si-MOSFET中已被广为采用，在SiC-MOSFET中由于沟槽结构有利于降低导通电阻也备受关注。然而，普通的单
2018-12-05 10:04:41
浅析第三代移动通信功率控制技术
2021-06-07 07:07:17
的根本原因。 （2）降低高压MOS管导通电阻的思路。增加管芯面积虽能降低导通电阻，但成本的提高所付出的代价是商业品所不允许的。引入少数载流 以上两种办法不能降低高压MOS管的导通电阻，所剩的思路就是
2018-11-01 15:01:12
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET)，其将嵌入式肖特基势垒二极管（SBD）排列成格子花纹（check-pattern embedded SBD），以降低导通电阻
2023-04-11 15:29:18
超过40%，其中以碳化硅材料（SiC）为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国半导体行业协会统计，2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元
2021-01-12 11:48:45
本文讨论了移动通信向第三代(3G)标准的演化与发展，给出了范围广泛的3G发射机关键技术与规范要求的概述。文章提供了频分复用(FDD)宽带码分多址(WCDMA)系统发射机的设计和测得的性能数据，以Maxim现有的发射机IC进行展示和说明。
2019-06-14 07:23:38
导读：苹果第三代AirPods预计会在今年年底前上市。 4月24日，据产业链最新消息，苹果正在准备第三代AirPods，预计会在今年年底前上市，而今年3月份苹果刚刚发布了AirPods的第二代
2019-04-27 09:28:37
更高的直流电输出。2、SiC MOSFET对于传统的MOSFET，它的导通状态电阻很大，开关损耗很大，额定工作结温低，但是SiC MOSFET导通电 阻、同时输入电容大大减小，额定工作结温更是达到200
2023-02-20 15:15:50
分享小弟用第三代太阳能的心得。
最近看了很多资料对第三代太阳能的介绍，诸多的评论都说到他的优势，小弟于是购买了这种叫第三代的太阳能－砷化镓太阳能模块。想说，现在硅晶的一堆
2010-11-27 09:53:27
AN系列是以“漏极-源极间导通电阻RDS(on)和栅极总电荷量Qg比平面MOSFET大幅降低”为目的，最先开发的SJ-MOSFET。与平面MOSFET相比，RDS(on)降低了50%，Qg降低了40
2018-12-03 14:27:05
汇佳智能第三代25－29彩色电视机威廉希尔官方网站
图，汇佳智能第三代25－29彩电图纸，汇佳智能第三代25－29原理图。
2009-05-22 10:11:57
179 文章介绍了第三代LonWorks 技术的应用方向和结构，以及美国Echelon公司新推出的一系列的第三代LonWorks 产品以及它们的主要技术特点和性能。关键词LonWorks® LonTalk® LonMark®, L
2009-05-29 12:14:458 第三代LonWorks技术和产品介绍
文章介绍了第三代LonWorks技术的应用方向和结构，以及美国Echelon公司新推出的一系列的第三代LonWorks产品以及它们的主要技术特点
2010-03-18 09:55:0417 Intel Xeon®铂金处理器（第三代）Intel® Xeon®铂金处理器（第三代）是安全、敏捷、数据中心的基础。这些处理器具有内置AI加速、先进的安全技术和出色的多插槽处理性能，设计用于任务关键
2024-02-27 11:57:15
Intel Xeon®金牌处理器（第三代）Intel® Xeon®金牌处理器（第三代）支持高内存速度和增加内存容量。Intel® Xeon®金牌处理器具有更高性能、先进的安全技术以及内置工作负载加速
2024-02-27 11:57:49
Intel Xeon®可扩展处理器（第三代）Intel®Xeon®可扩展处理器（第三代）针对云、企业、HPC、网络、安全和IoT工作负载进行了优化，具有8到40个强大的内核和频率范围、功能和功率级别
2024-02-27 11:58:54
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技术
日前，Vishay Intertechnology推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件，从而扩展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。这些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
第三代移动通信常识
1、3G定义
3G是英文3rd Generation的缩写，指第三代移动通信技术。相对
2009-06-01 21:03:572479 什么是第三代移动通信系统
第三代移动通信系统IMT2000，是国际电信联盟（ITU）在1985年提出的，当时称为陆地移动系
2009-06-13 22:20:55949 Tensilica推出第三代ConnX 545CK 8-MAC VLIW DSP内核
Tensilica推出第三代ConnX 545CK 8-MAC（乘数累加器）VLIW（超长指令字）DSP（数字信号处理器）
2010-04-24 12:05:451545 采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET -
2010-04-30 08:42:49899 莱迪思半导体公司日前宣布推出其第三代混合信号器件，Platform Manager系列。通过整合可编程模拟威廉希尔官方网站
和逻辑，以支持许
2010-10-18 08:49:24712 据一向不靠谱的台湾媒体DigiTimes报道，苹果将于今年夏季发布新款第三代iPad。新款第三代iPad将配备来自夏普的IGZO显示屏，这种技术将使iPad变得更薄，电池更耐用。在第三代iPad发布之
2012-06-30 11:48:16625 ［中国 – 2016年2月29日］ 全球树莓派领先制造商与分销商e络盟日前宣布推出全新第三代树莓派B型板。新一代开发板内置无线和蓝牙连接，运行速度更快且功能更强大，进一步扩充了其已拥有世界一流树莓派配件生态系统的产品范围，其中包括近期推出的树莓派触摸屏显示器。
2016-03-03 15:04:451952 本文首先介绍了第三代半导体的材料特性，其次介绍了第三代半导体材料性能应用及优势，最后分析了了我国第三代半导体材料发展面临着的机遇挑战。
2018-05-30 12:37:3334365 
继5G、新基建后，第三代半导体概念近日在市场上的热度高居不下。除了与5G密切相关外，更重要是有证券研报指出，第三代半导体有望纳入重要规划，消息传出后多只概念股受到炒作。证券业人士提醒，有个人投资者
2020-09-21 11:57:553813 ROHM第三代碳化硅MOSFET特点（相比第二代）ROHM第三代设计应用于650V和1200V产品之中，包括分立或模组封装。本报告深入分析了650V和1200V第三代沟槽MOSFET，并利用光学显微镜和扫描电镜研究复杂的碳化硅沟槽结构。
2018-08-20 17:26:299043 根据今年3月份曝光的AMD产品线路图来看，第三代线程撕裂者有望在今年年内发布，但随后在6月举行的台北电脑展上，新的AMD线路图显示第三代线程撕裂者被移除，加之AMD推出了新的Ryzen 9第三代
2019-09-02 13:08:004963 1月14日消息，vivo宣布将于MWC巴塞罗那2020上举行新品发布会（2月23日-2月24日），正式推出vivo第三代APEX概念机。
2020-01-14 10:49:121820 呢？为什么说第三代半导体有望成为国产替代希望？ 第三代半导体也被称为宽带隙半导体，主要是以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽带隙半导体材料，其带隙宽度大于2.2eV，是5G、人工智能、工业互联网等多个新基建产业的重要材料，同时也是
2020-10-29 18:26:404897 
据了解，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入十四五规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主
2020-11-04 15:12:374305 招商引资名单中。 问题来了：第三代半导体产业是真的进入春天还是虚火上升？又有哪些行业真的需要GaN或SiC功率器件呢？相对于IGBT、MOSFET和超级结MOSFET，GaN和SiC到底能为电子行业带来哪些技术变革？ 为了回答这些问题，小编认真阅读了多
2020-12-08 17:28:0312551 最近，“我国将把发展第三代半导体产业写入‘十四五’规划”引爆全网。什么是第三代半导体？发展第三代半导体的意义在哪儿？它凭什么一夜爆火
2020-12-14 11:02:443297 日前，阿里巴巴达摩院预测了2021年科技趋势，其中位列第一的是以氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体将迎来应用大爆发。第三代半导体与前两代有什么不同？为何这两年会成为爆发的节点？第三代半导体之后
2021-01-07 14:19:483427 更加精准，助力智能产业升级。 据高德介绍，第三代车载导航是软硬件结合的小一袋车载导航解决方案，依托合作车企的全栈自研能力，已率先与小鹏汽车达成合作。 第三代车载导航不仅将导航由道路级升级为车道级，同时将自动驾驶系统感
2021-01-22 18:05:143606 1月22日，数字地图、导航和位置服务提供商高德地图在北京发布了第三代车载导航。
2021-01-24 09:50:574127 在日前的极客公园·创新大会2021上，小米生态链企业，华米科技创始人、董事长兼CEO黄汪透露，华米科技自研的第三代可穿戴芯片将很快推出。
2021-02-01 09:45:452190 在日前的极客公园·创新大会2021上，小米生态链企业，华米科技创始人、董事长兼CEO黄汪透露，华米科技自研的第三代可穿戴芯片将很快推出。
2021-02-01 11:58:312254 2月20日，移远通信正式推出其第三代5G NB-IoT系列模组BC95-CNV和BC28-CNV。这两款模组基于海思Boudica 200平台，在大幅提升集成度、性价比、安全性和降低功耗的同时，新增
2021-02-22 09:22:071225 2021年4月8日，上海——澜起科技，国际领先的高性能处理器和全互连芯片设计公司，正式对外发布其全新第三代津逮CPU，以更好满足数据中心、高性能计算、云服务、大数据、人工智能等应用场景对综合
2021-04-12 14:26:292879 第三代半导体Central issue 2020年10月，国星光电成功举办了首届国星之光william hill官网
，william hill官网
上国星光电宣布将紧抓国产化机遇，迅速拓展第三代半导体新赛道。近期，国星光电正式推出一系列第三代半导体
2021-04-22 11:47:102719 以2.4-2.6次方增长，其增长速度使MOSFET制造者和应用者不得不以数十倍的幅度降低额定电流，以 折中额定电流、导通电阻和成本之间的矛盾。
2022-03-17 09:35:332873 近年来，国家和各地方政府陆续推出相关政策推动第三代半导体相关产业发展：2017年，工信部、国家发改委发布的《信息产业发展指南》将“第三代化合物半导体”列为集成威廉希尔官方网站
产业的发展重点；而科技部也已将第三代
2022-08-02 08:57:381568 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，现已开始出货。
2022-09-01 15:37:53483 在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。沟槽结构在Si-MOSFET中已被广为采用，在SiC-MOSFET中由于沟槽结构有利于降低导通电阻也备受关注。
2023-02-08 13:43:211381 
上一章基于ROHM的SJ-MOSFET产品阵容，以标准AN系列、低噪声EN系列、高速KN系列为例介绍了SJ-MOSFET的特征。
2023-02-10 09:41:01401 
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC-SBD”）产品。ROHM的每一代SiC-SBD产品的推出都是正向电压降低、各特性得以改善的持续改进过程。
2023-02-10 09:41:07611 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出了全新功率器件“TWxxNxxxC系列”。这是其第三代碳化硅MOSFET[1][2]，具
有低导通电阻和大幅降低的开关损耗。10种产品分别为
2023-02-20 15:46:150 近年来，国家和各地方政府陆续推出相关政策推动第三代半导体相关产业发展：2017年，工信部、国家发改委发布的《信息产业发展指南》将“第三代化合物半导体”列为 集成威廉希尔官方网站
产业的发展重点；而科技部也已将
2023-02-27 15:21:454 相对于IGBT，SiC-MOSFET降低了开关关断时的损耗，实现了高频率工作，有助于应用的小型化。相对于同等耐压的SJ-MOSFET，导通电阻较小，可减少相同导通电阻的芯片面积，并显著降低恢复损耗。
2023-09-11 10:12:33568 
电子发烧友App
工商网监
评论