安森美半导体宣布大举扩充通过汽车认证的产品阵容

　　2013年8月8日 – 推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN）已经大幅扩充针对严格的汽车应用设计的AEC-Q100和AEC-Q101合格认证标准元器件阵容。

　　汽车电子成分持续提升，使设计人员需要更多通过AEC-Q认证、提供强固物理及电气性能以符合乘用车系统严格工作环境要求的元器件。

　　根据市场研究公司IHS的信息及分析，平均每辆高档汽车的半导体成分价值336美元，其中包括集成威廉希尔官方网站 （IC）及分立元件，用于先进的驾驶人辅助系统、动力系统、车身及信息娱乐系统。单是信息娱乐系统的IC成分价值，在原设备制造商（OEM）系统层面约为平均每辆车52美元，包括零配件市场系统则为平均每辆车约81美元。

　　HIS高级汽车电子分析师Luca De Ambroggi说：“近年来，随着总体汽车电子成分上升，平均每辆汽车中的半导体成分已在快速上升，并预计将继续增加。高档车中标准IC的数量约为5，000至6，000颗。针对汽车应用的半导体元器件的品质是一项关键要求，业界的目标是不良率达到每100万颗元件中不良元件数量为零（0 ppm）。”

　　最新产品

　　安森美半导体第一款推出的新产品是100%经过“雪崩”能量测试的NVMFS单及NVMFD双N通道逻辑电平功率MOSFET系列。这些器件提供低导通阻抗及大电流能力组合，同时将导电损耗降至最低，确保提供强固的负载性能，用于严格的汽车动力系统、安全及车身控制模块应用，包括燃油直接喷射、安全气囊、汽车空调（HVAC）及混合电子系统中。这些器件采用小占位面积、低高度的SO-8FL封装，相比传统的DPAK封装节省超过50%的威廉希尔官方网站 板空间，而功率处理能效相近。

　　新的NUP2115LT1G接收器ESD保护二极管的设计旨在保护FlexRayTM收发器免受静电放电（ESD）及其它有害瞬态电压事件损伤，为每条数据线路提供双向保护，而且其设计提供尽可能最高的信号完整性。NUP2115LT1G采用紧凑型SOT-23封装，为系统设计人员提供一种增强系统可靠性并超越严格电磁干扰（EMI）要求的方式。由于车载网络的高速属性，FlexRayTM标准要求达20皮法（pF）的低电容保护及±2%的数据线路电容偏差；NUP2115LT1G远超FlexRayTM

　　标准，提供领先业界的最大10 pF杂散电容（stray capacitance），电容匹配度达0.26%。

　　公司通过汽车行业认证的NSV1C系列，SOT-23及SOT-223封装100 V、2 A PNP及NPN超低饱和电压（VCEsat）、大源电流双极晶体管提供极高能效，帮助将汽车电池需求降至最低。典型应用包括 仪表盘模块及用于燃油直接喷射的发动机控制单元（ECU）。NSV1V系列器件与公司符合汽车应用要求的宽范围数字晶体管相辅相成，包含阻抗值范围为1.0 kΩ至100 kΩ的额定50 V、100 mA器件。这些器件提供7种封装类型，包括单、双、NPN、PNP及互补型器件。

　　安森美半导体还推出NCV857x及NCV87xx系列高性能后稳压低压降（LDO）稳压器，提供增强的性能及从-40℃至+125℃的扩展工作温度范围。这些LDO用于信息娱乐系统、安全、照明及小型电机电子控制单元；当中低噪声及低电源抑制比（PSRR）至关重要，用于增强系统性能。这些新器件非常适合用于低噪声性能极为关键的蓝牙应用。

　　最后，安森美半导体还推出几个系列的汽车级一级（Level 1）串行EEPROM，提供-40℃至+125℃的扩展工作温度范围。CAV24Cxx I2C总线及CAV25Cxx SPI总线接口串行EEPROM系列提供1 Kb至1 Mb的密度。这些产品由安森美半导体采用几何尺寸低至0.18 µm的硅工艺生产，提供业界标准的SOIC及TSSOP汽车级封装。CAV93C86 （16 Kb） 将是Microwire总线接口串行EEPROM系列器件中推出的首款产品。

　　关于安森美半导体

　　安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN）致力于推动高能效电子的创新，使工程师能够减少全球的能源使用。公司全面的高能效电源和信号管理、逻辑、分立及定制方案阵容，帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目，及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。更多信息请访问 http://www.onsemi.cn。