资料介绍
	下文主要介绍 mosfet 的主要参数,通过此参数来理解设计时候的考量
	一、场效应管的参数很多,一般 datasheet 都包含如下关键参数:
	1 极限参数:
	ID :最大漏源电流。是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流。
	场效应管的工作电流不应超过 ID 。此参数会随结温度的上升而有所减额。
	IDM :最大脉冲漏源电流。此参数会随结温度的上升而有所减额。
	PD :最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使
	用时,场效应管实际功耗应小于 PDSM 并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升
	而有所减额。
	VGS :最大栅源电压。
	Tj :最大工作结温。通常为 150 ℃ 或 175 ℃ ,器件设计的工作条件下须确应
	避免超过这个温度,并留有一定裕量。
	TSTG :存储温度范围。
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