LED芯片常见的质量问题分析,
方向压降高,暗光
A:一种是电极与发光材料为欧姆接触,但接触电阻大,主要由材料衬底低浓度或电极
缺损所致。
B:一种是电极与材料为非欧姆接触,主要发生在芯片电极制备过程中蒸发第一层电极
时的挤压印或夹印,分布位置。
另外封装过程中也可能造成正向压降变,主要原因有银胶固化不充分,支架或芯片电极
沾污等造成接触电阻大或接触电阻不稳定。
正向压降变的芯片在固定电压测试时,通过芯片的电流小,从而表现暗点,还有一种暗
光现象是芯片本身发光效率低,正向压降正常。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉