IGBT的基本结构和工作原理等资料合集说明

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　　绝缘栅双极晶体管本质上是一个场效应晶体管，只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层。根据国际电 工委员会 IEC ／ TC （ CO ） 13 3 9 文件建议，其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名。

　　图 2 － 53 所示为一个 N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N + 区称为源区，附于其上的电极称为源极。 N + 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的 P 型区（包括 P + 和 P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的 P + 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是 IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成 PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。

　　为了兼顾长期以来人们的习惯， IEC 规定：源极引出的电极端子（含电极端）称为发射极端（子），漏极引出的电极端（子）称为集电极端（子）。这又回到双极晶体管的术语了。但仅此而已。

　　现在，大电流高电压的 IGBT 已模块化，它的驱动威廉希尔官方网站 除上面介绍的由分立元件构成之外，现在已制造出集成化的 IGBT 专用驱动威廉希尔官方网站 。其性能更好，整机的可靠性更高及体积更小。