大面积白光OLED器件

大面积白光OLED器件
本文介绍了一种发出1200流明光的照明型大面积白光面板。该器件采用由蓝色OLED发光向下转换的技术方法获得，器件为容错型单片串连式结构。该器件的高发光效率表面聚合物得单/三线态发光效率可以突破25％。

器件结构：
 
图1 白光器件结构

  
图2 白光器件发光光谱

  
图3 由3个发光单元组成的单片单片串连式结构中发光单元相互连接的侧面结构图。每个发光单元的活性面积由夹在ITO和阴极间的有机层的区域界定。
  
图4 采用单片串连式结构的蓝色OLED器件的性能

图5 采用单片串连式结构的白色OLED器件的性能
    
图6 大面积OLED示范板及性能参数

SID 05 DIGEST
4.2高效顶发射白光有机电致发光器件
Shih-Feng Hsu
Dept. of Applied Chemistry, National Chiao Tung University（台湾交通大学）, Hsinchu, Taiwan
Shiao-Wen Hwang and Chin H. Chen
Display Institute, Microelectronics and Information Systems Research Center
National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan
通过调整阳极和阴极结构本文研制了一种宽光谱高效白光顶发射有机电致发光器件。为了缓解不期望的微腔效应并获得宽光谱白光发射，器件阳极采用CFx覆盖银修正反射率，阴极采用折射率匹配层SnO2覆盖的最大透过率为80％的Ca/Ag层。这个基於蓝光黄光双层结构的顶发射宽光谱白光器件最高电致发光效率为22.2 cd/A (9.6 lm/W)，此时驱动电压为7.3V，电流密度为20 mA/cm2，色座标为(x ＝0.31, y ＝0.47)。
器件结构：
Device A：Ag (200 nm)/ITO (75 nm)/ NPB (50 nm)/1.5 wt% Rubrene : NPB (20 nm)/3 wt% DSA-Ph : MADN (40 nm)/ Alq3 (10 nm)/Ca (5 nm)/Ag (15 nm)

Device B：ITO (75 nm)/ NPB (50 nm)/1.5 wt% Rubrene : NPB (20 nm)/3 wt% DSA-Ph : MADN (40 nm)/ Alq3 (10 nm)/SnO2 (22.5nm)/Ca (5 nm)/Ag (15 nm)

Device C: Ag (200 nm)/ CFx /ITO (75 nm)/ NPB (50 nm)/1.5 wt% Rubrene : NPB (20 nm)/3 wt% DSA-Ph : MADN (40 nm)/ Alq3 (10 nm)/SnO2 (22.5nm)/Ca (5 nm)/Ag (15 nm)
  
图1 本实验所用主要材料的化学结构和三中顶发射器件的器件结构（A传统 B透明 C电极修正）

表1 器件A, B,C在 20mA/cm2下的电致发光性能
 
 
图2 3个顶发射器件的电致发光光谱

  
图3 器件C在0，30， 60度视角下的电致发光光谱

    
图4 器件A, B, C的电压－电流－亮度曲线

制备在低温多晶矽底板上的白光顶发射OLED器件照片

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4.3: 基於白光OLED器件的长寿命－低功耗红绿蓝白显示
Jeffrey P. Spindler, Tukaram K. Hatwar, Michael E. Miller, Andrew D. Arnold, Michael J. Murdoch, Paul J. Kane, John E. Ludwicki, and Steven A. Van Slyke
Eastman Kodak Company（柯达公司）, Rochester, NY, USA

   本文描述了采用红绿蓝白图元格式的低功耗、长寿命全彩OLED显示技术。所得高效、稳定白光器件，色度得到了优化基本达到D65白点显示，同时满足了低功耗和稳定发光的要求。并且，讨论了一种新的采用次级样品红和蓝子图元增加红绿蓝白显示寿命的技术途径。

表1 不同种类复合白光制备红绿蓝白和红绿蓝全彩器件的性能比较
 

  
图1基於两种不同复合白色发光的红绿蓝和红绿蓝白样机的功耗比较图

  
图2红绿蓝和红绿蓝白OLED显示的以开口率为函数的预期寿命曲线

  
图3 （a）常规红绿蓝白条纹图元图形（b）次级红绿蓝白条纹图元图形

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4.4：具有最高能量效率最长寿命的新型全彩OLED显示
Jan Birnstock, Michael Hofmann, Sven Murano, Martin Vehse, and Jan Blochwitz-Nimoth Novaled GmbH, Tatzberg 49, D-01307 Dresden, Germany（德国）
Qiang Huang, Gufeng He, Martin Pfeiffer, and Karl Leo
Institut fuer Angewandte Photophysik, Technische Universitaet Dresden, Georg-Baehr-Str. 1, D-01069
Dresden, Germany

   本文报导了一组用於全彩显示的顶发射PIN-OLED（包含一个P型掺杂的空穴传输层，一个本征传导发光层，和一个N型掺杂电子传输层的OLED）器件。对应于红，绿，蓝二极体，亮度为1000cd/m2的能量效率分别达到11 lm/W, 70 lm/W, 和8.4 lm/W。500cd/m2亮度下，磷光底发射PIN-OLED的寿命为30000小时，由此可以看出采用电荷载流子掺杂可以获得更长寿命的器件。用新分子N掺杂材料NDN-1代替Cs可以获得更高的器件稳定性。同时，本文报导了一种白光底发射OLED,色座标为0.35，0.37(95年色座标)，1000cd/m2下，能量效率达到16.3 lm/W。
 
  
图1 红色磷光顶发射器件的电压－亮度曲线

  
图2绿色磷光顶发射器件的电压－亮度曲线

  
图1 蓝色萤光顶发射器件的电压－亮度曲线

  
图4 以上3个器件的色座标位置图
                                                       
表1顶发射和底发射红绿蓝器件的性能比较