电子发烧友网站提供《30V N 沟道NexFET™ 功率MOSFET CSD17556Q5B数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-22 14:11:23
0 耐压30V降压恒压芯片的工作原理如下：
该芯片内部集成了开关管和同步整流管，通过它们进行电压的转换，将输入的30V电压降至所需的输出电压（如12V或5V）。在工作过程中，该芯片通过PWM
2024-03-22 11:31:10
ELM13415CA-S-VB是VBsemi品牌推出的P—Channel MOSFET，采用SOT23封装。以下是该器件的详细参数说明和应用简介：- **参数：** - 封装类型
2024-03-18 17:36:33
全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14
102 近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 我想实现2.2V的非标准ttl电平转3.3V的cmos电平，请问有什么合适的电平转换器或者是电压比较器推荐吗？
2024-03-11 09:30:08
Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
2024-02-22 17:11:08353 
电子发烧友网站提供《N沟道40 V，2.6 mOhm，160 A逻辑电平MOSFET PSMN2R5-40YLB数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-21 09:58:300 电子发烧友网站提供《N沟道40 V，2.2 mOhm，180 A标准电平MOSFET PSMN2R2-40YSB数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-21 09:56:390 电子发烧友网站提供《N沟道40 V，2.1 mOhm，180 A逻辑电平MOSFET PSMN2R0-40YLB数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-21 09:55:140 电子发烧友网站提供《N沟道40 V，1.9 mOhm，200 A标准电平MOSFET PSMN1R9-40YSB数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-21 09:53:300 电子发烧友网站提供《N沟道40 V，1.8 mOhm，200 A逻辑电平MOSFET PSMN1R7-40YLB数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-21 09:51:470 电子发烧友网站提供《N沟道40 V，3.5 mOhm，120 A标准电平MOSFET PSMN3R5-40YSB数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-21 09:50:270 电子发烧友网站提供《N沟道40 V，3.3 mOhm，120 A逻辑电平MOSFET PSMN3R2-40YLB数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-21 09:46:420 电子发烧友网站提供《N沟道40 V，2.8 mOhm，160 A标准电平MOSFET PSMN2R8-40YSB数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-21 09:45:020 电子发烧友网站提供《20 V，双N沟道沟槽MOSFET PMDPB30XNA数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-20 10:03:240 压的应用需求。
产品特性
l内置30V耐压MOS,支持2.5V-24V输入
l低静态电流：100uA
l输出电流：16~2000mA
lPWM调光：最高频率25KHz，分辨率可达1000：1
l输出电流精度
2024-02-01 16:44:39
电子发烧友网站提供《LFPAK56中的N沟道40 V，1.3 mΩ逻辑电平MOSFET BUK9Y1R3-40H数据手册.pdf》资料免费下载
2024-01-26 09:25:320 。按导电沟道功率MOSFET可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET主要是N沟道增强型。 MOSFET的主要特
2024-01-09 10:22:43112 
2104全桥驱动威廉希尔官方网站
原理 IR2104是一种高速、低成本的高和低电平电荷泵驱动器。它可通过逻辑输入信号控制两个N沟MOSFET或IGBT的驱动信号，实现全桥输出。IR2104内部集成了一个高压引发电荷泵、逻辑电平和电流检测威廉希尔官方网站
。其主要包括低侧和高侧驱动器。 低侧驱动器：
2024-01-05 16:11:041106 在双电源±15V的供电的状态下，ADG1408的模拟通道能输入30V（相对GND）的模拟电压吗？
2024-01-05 12:57:40
电子发烧友网站提供《N沟道40 V，0.81 mOhm，320 A标准电平MOSFET PSMNR70-40YSN英文资料.pdf》资料免费下载
2024-01-04 14:19:310 电子发烧友网站提供《双N沟道40 V，13 mOhm逻辑电平MOSFET LFPAK56D（半桥配置）产品数据表.pdf》资料免费下载
2024-01-03 14:31:020 , 20Vgs (±V)- 阈值电压：-1V- 封装：SOT23**详细参数说明：**RSR025P03TL-VB是一款P沟道MOSFET，最大耐压为-30V，最大
2023-12-20 15:58:08
。- **工作电压（VDS）：** -30V，表示MOSFET的耐压上限，负值表示器件是P沟道。- **持续电流（ID）：** -7A，表示MOSFET可以承受的最大电流
2023-12-18 17:03:12
。- **工作电压（VDS）：** -30V，表示MOSFET的耐压上限，负值表示器件是P沟道。- **持续电流（ID）：** -6A，表示MOSFET可以承受的最
2023-12-18 10:18:54
VBsemi推出丝印型号为VB2355的MOSFET型号AO3401。这款P沟道MOSFET适用于各种威廉希尔官方网站
应用。其主要特点包括高达-30V的高压容忍度和-5.6A的电流处理能力，10V时的低导通电
2023-11-23 11:58:58
硬件面试中有遇到过这样的事吗？通常让你画一个增强型的MOSFET，或是N沟道MOSFET或是P沟道MOSFET
2023-11-21 15:05:31778 
利用AD5522怎么设计一个正负30V的PPMU? AD5522输出电压最大只能输出正负11V左右。但我们客户的需求是30V的。不知道用AD5522能否设计出30V的ppmu?。如果利用升压威廉希尔官方网站
可以解决，硬件的方案是如何的呢？
2023-11-16 07:09:56
如何设计一个高效率低功耗低噪声的直流3V升压到30V的威廉希尔官方网站
？
电流1ma之内即可。
2023-11-16 06:36:14
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护。
2023-11-09 17:39:10459 中国上海， 2023 年 11 月 7 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备
2023-11-09 15:19:57663 
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。这是一款低导通电阻、30V N沟道共漏MOSFET，适用于带USB的设备和电池组保护。产品发货即日起开始。
2023-11-08 16:22:22319 型晶体管，它属于电压控制型半导体器件。根据导电沟道类型和栅极驱动电压的不同，可以分为N沟道-增强型MOSFET、N沟道-耗尽型MOSFET、P沟道-增强型MOSFET、P沟道-耗尽型MOSFET四种类型。
2023-11-07 14:51:15638 
型号 20P03丝印 VBE2338品牌 VBsemi详细参数说明 极性 P沟道 额定电压 30V 额定电流 26A 开通电阻（RDS(ON)） 33mΩ @ 10V, 46m
2023-11-06 11:24:18
型号 AP6679GH丝印 VBE2309品牌 VBsemi详细参数说明 极性 P沟道 额定电压 30V 额定电流 60A 开通电阻（RDS(ON)） 9mΩ @ 10V, 12m
2023-11-06 09:41:12
型号 SI2323DST1GE3丝印 VB2355品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 5.6A 导通电阻 47mΩ @10V, 56m
2023-11-06 09:17:31
新洁能NCE30P12S NCE P通道增强模式电源MOSFET新洁能NCE30P12S，一款卓越的P通道增强模式电源MOSFET，采用前沿的沟槽技术，尽显卓越性能。民信微其低RDS（ON）特性
2023-11-05 09:54:550 新洁能NCE30P30K NCE P通道增强模式电源MOSFET TO-252-2L新洁能NCE30P30K，全新升级，为您的高电流负载应用提供强大支持！采用先进的沟槽技术和设计，民信微我们
2023-11-03 20:39:340 FDV303N是一款N沟道 MOSFET。这种器件通常用于开关和放大威廉希尔官方网站
中，可以控制电流流动并放大信号。
2023-11-03 14:56:23293 
型号 AOD425A丝印 VBE2317品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 40A 导通电阻 18mΩ@10V, 25mΩ@4.5V
2023-11-03 14:34:40
型号 FDS4435BZNL丝印 VBA2317品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 7A 导通电阻 23mΩ@10V, 29m
2023-11-03 14:04:50
型号 FDD6637丝印 VBE2309品牌 VBsemi参数说明 MOSFET类型 P沟道 额定电压(VDS) 30V
2023-11-03 11:57:26
MT4606详细参数说明 极性 N+P沟道 额定电压 ±30V 额定电流 9A (N沟道), 6A (P沟道) 导通电阻 15mΩ @ 10V (N沟道), 42mΩ @ 10V (P
2023-11-02 16:15:57
型号 ME4925丝印 VBA4317品牌 VBsemi参数 频道类型 2个P沟道 额定电压 30V 额定电流 8.5A RDS(ON) 21mΩ @ 10V，28mΩ @ 4.5V
2023-11-02 14:52:31
型号 AO4425丝印 VBA2311品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 11A 导通电阻 10mΩ @10V, 13mΩ @4.5V
2023-11-01 10:37:54
型号 FDN304PNL丝印 VB2355品牌 VBsemi参数 频道类型 P沟道 额定电压 30V 额定电流 5.6A RDS(ON) 47mΩ @ 10V，56mΩ @ 4.5V
2023-10-31 11:24:55
的前置驱动器。该设备可驱动多种 N 沟道的功率 MOSFET，支持的马达供电电压高达 30V。利用外部三个霍尔元件输入信号实现 120°换相。其它功能包括固定关闭时间的脉宽调制（PWM）限制浪涌电流、可调
2023-10-27 09:30:29
VBsemi推出丝印型号为VB2355的MOSFET型号AO3401。这款P沟道MOSFET适用于各种威廉希尔官方网站
应用。其主要特点包括高达-30V的高压容忍度和-5.6A的电流处理能力，10V时的低导通电
2023-10-26 16:21:10
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一种800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET进一步优化了用于高性能设计的成熟OptiMOS技术。新产品采用超小型PQFN 2x2 mm2封装，具备先进的硅技术、稳定可靠的封装与极低的热阻（RthJC最大值为3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 VPS8701B是一款专门为小体积、低待机功耗的微功率隔离电源而设计的变压器驱动器，其外围只需匹配简单的输入输出滤波电容、隔离变压器和整流威廉希尔官方网站
，即可实现6~~~30V输入电压、多种输出电压、输出功率
2023-10-12 10:04:51
电子发烧友网站提供《BUK4D50-30P P沟道沟槽式MOSFET手册.pdf》资料免费下载
2023-09-27 11:35:370 电子发烧友网站提供《PSMN2R6-80YSF N沟道MOSFET手册.pdf》资料免费下载
2023-09-27 09:32:500 电子发烧友网站提供《BUK6D16-30E N沟道沟槽式MOSFET手册.pdf》资料免费下载
2023-09-26 15:43:170 电子发烧友网站提供《PXN040-100QS N沟道标准电平沟槽式MOSFET手册.pdf》资料免费下载
2023-09-26 11:45:140 电子发烧友网站提供《PXN028-100QL N沟道、逻辑电平沟槽式MOSFET手册.pdf》资料免费下载
2023-09-26 11:11:080 电子发烧友网站提供《PXN012-100QS N沟道、标准电平沟槽式MOSFET手册.pdf》资料免费下载
2023-09-26 11:05:310 电子发烧友网站提供《PXN020-100QS N沟道、标准电平沟槽式MOSFET手册.pdf》资料免费下载
2023-09-26 11:01:080 电子发烧友网站提供《PXN011-100QS N沟道、标准电平沟槽式MOSFET手册.pdf》资料免费下载
2023-09-26 10:59:231 电子发烧友网站提供《PXN012-100QL N沟道、逻辑电平沟槽式MOSFET手册.pdf》资料免费下载
2023-09-26 10:57:380 电子发烧友网站提供《PXN011-100QL N沟道、逻辑电平沟槽式MOSFET手册.pdf》资料免费下载
2023-09-26 10:54:290 供应AP3400A N沟道 30V 5.8A MOS场效应管-mos3400规格参数，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供mos3400规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-25 11:28:260 供应AP30N03K 低结电容 30V MOS-30N03K场效应管参数，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP30N03K规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-25 11:14:000 供应AP30H80K 30V 80A N沟道MOS管，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供30H80K规格书参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-25 10:52:000 供应AP30H150KA 30V 150A N沟道MOS管-30h150场效应管，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP30H150KA规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-25 10:39:500 SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
DMP3028LSD 产品简介DIODES 的 DMP3028LSD 这款新一代 30V P 沟道增强型 MOSFET 旨在最大限度地降低 RDS(on)，同时保持卓越的开关
2023-09-13 20:17:07
供应AP90P03Q p沟道mos管 30v 60a丝印:90P03Q-铨力半导体代理，提供AP90P03Q规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-08-22 17:40:01
供应AP50P03K 35a 30v p沟道增强型mos管丝印AP50P03，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP50P03K规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-08-22 17:31:063 供应AP50P03K p沟道mos -30v -35a丝印:AP50P03 储能、小家电mos管，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP50P03K 规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-08-22 17:30:12
供应AP18P30Q -20a -30v耐压的p型mos 丝印:18P30Q参数，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP18P30Q规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-08-22 17:19:590 供应AP18P30Q p沟道mos管 30v 20a 丝印:18P30Q，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP18P30Q规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-08-22 17:19:05
供应AP15P03Q PDFN3*3 P沟道-30v -12A vbus开关mos管，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP15P03Q规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-08-22 17:13:54
通过AEC-Q101认证且可承受的接面温度高达175°C，强茂P沟道MOSFET是汽车设计工程师理想的选择，可实现简化威廉希尔官方网站
而又不牺牲性能。提供DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L和TO-252AA多种封装。
2023-07-20 15:57:45526 在H桥威廉希尔官方网站
中实现P沟道MOSFET可能看起来既简单又诱人，但可能需要一些严格的计算和参数才能实现最佳响应。
2023-06-29 15:28:02957 
在这个设计中，我们看到了使用N沟道MOSFET实现BPS威廉希尔官方网站
的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。
2023-06-16 09:03:30228 
中国上海， 2023 年 6 月 13 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列
2023-06-13 16:38:50712 
产品特点：● 8路NPN信号转PNP信号高速转换● 8路0-5V电平转0-24V电平● 8路TTL电平转0-24V电平● 8路NPN信号转TTL电平
2023-06-12 16:41:08
供应mos PTS4842 30V/7.7A双n沟道mos管，提供4842双mos管规格书及关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向深圳市骊微电子申请。>>
2023-06-10 14:46:251 供应PTS4842 MOS场效应管-30V/7.7A双N沟道高级功率MOSFET，提供PTS4842双mos管关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向深圳市骊微电子申请。>>
2023-06-10 14:45:17
日：基础半导体器件领域的专家 Nexperia（安世半导体）推出了用于自动化安全气囊应用的专用 MOSFET (ASFET) 新产品组合，重点发布的 BUK9M20-60EL 为单 N 沟道 60 V、13 m
2023-05-29 10:35:11372 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道
2023-05-22 11:11:391173 上海数明半导体有限公司最新推出的双通道 30V, 5A/5A 的高速低边门极驱动器 SiLM27624 系列，支持高达 30V 的输入电源供电，满足更高的驱动电压输出。
2023-05-17 11:18:21438 
，
逻辑输入电平兼容低至 3.3V 的 CMOS 或 LSTTL 逻辑
输出电平。 高速风筒专用电机驱动芯片其浮动通道可
用于驱动高压侧 N 沟道功率 MOSFET，浮地通道最高
工作电压可达 700V。高速风筒专用电机驱动芯片采用
SOIC8 封装，可以在-40℃至 125℃温度范围内工作
2023-05-10 10:05:20
请问CANbus至RS232协议转换器能够用30V电压的电源吗？
2023-05-09 11:03:26
在本文中，我们将学习如何使用 P沟道和 N 沟道 MOSFET 构建通用全桥或 H 桥 MOSFET 驱动威廉希尔官方网站
，该威廉希尔官方网站
可用于制造电机、逆变器和许多不同的功率转换器的高效驱动威廉希尔官方网站
。
2023-04-29 09:35:005288 
降至45KHZ。
芯片参数：
1.输入电压范围：5V -80V
2.输出电压范围：3V -55V
3.输出电流范围：1000MA
4.外接元器件少，无需外围补偿网络能达到稳定工作
5.外接一个电容可设
2023-04-28 11:55:25
MOSFET是以金属层（M）栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同，MOSFET可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常又称为N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 LAMP INCAND S-6 BAYONET 30V
2023-03-28 20:26:17
LAMP INCAND 30V CANDELABRA SCRW
2023-03-28 20:23:07
RLD 30V UF系列PTC器件
2023-03-28 12:55:54
-30V P沟道MOSFET
2023-03-28 12:55:19
30V P沟道MOSFET
2023-03-27 11:54:35
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