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2024-03-08 08:37:49
二极管种类有很多,按照所用的半导体材料,可分为锗⼆极管(Ge管)和硅⼆极管(Si管),现在也有用碳化硅做材料的二极管,美国的cree和深圳萨科微slkor(www.slkoric.com)半导体推出
2024-03-05 14:23:46
区域和准中性N-区域。准中性P-型区域是耗尽区边缘与P-侧二极管边缘之间的间隔。
准中性N型区域是耗尽区边缘与N端二极管边缘之间的距离。假设该分离距离为无穷大。当我们向二极管边界移动时,电荷载流子的浓度
2024-01-25 18:01:01
碳化硅二极管和碳化硅晶体管。由于其出色的性能,碳化硅功率器件在电动汽车、可再生能源系统、智能电网、轨道交通等领域具有广泛的应用前景。
2024-01-09 09:26:49379 在当今快速发展的电力电子领域,碳化硅(SiC)材料因其出色的物理性能而备受关注。作为一种宽禁带半导体材料,碳化硅在制造高效、高温和高速的电子器件方面具有巨大潜力。其中,碳化硅肖特基二极管作为一种重要
2023-12-29 09:54:29186 导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅外延层,得到碳化硅外延片后进一步加工制成,品种包括SBD(肖特基二极管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极性晶体管)等,主要用于电动汽车、光伏、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。
2023-12-27 10:08:56305 碳化硅二极管的优点和局限性分析 碳化硅(SiC)二极管是一种新型半导体材料,在高频电源电子装置中得到了广泛应用。与传统的硅(Si)材料相比,碳化硅二极管具有许多优点和局限性。下面是对碳化硅二极管
2023-12-21 11:31:27408 和IGBT的区别。 1. 结构差异: 碳化硅是一种化合物半导体材料,由碳原子和硅原子组成。它具有非常高的熔点和热导性,使其在高温和高功率应用中具有出色的性能。碳化硅晶体管的结构通常更复杂,由多个寄生二极管组成,因此其电子流动路径更复
2023-12-08 11:35:531782 11月27日,瞻芯电子开发的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET产品(IV2Q171R0D7Z)通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101), 导通电阻标称1Ω,
2023-11-30 09:39:18756 光电二极管接到ADL5304,光电二极管偏置需要10V,是否必须双电源供电?
2023-11-24 07:50:26
TOLL Schottky SKY 肖特基二极管,大电流应用时的应用注意事项!
48V PD3.1选用肖特基做240W,480W PD电源,48V 10A的注意事项Motive TMBS TOLL封装肖特基绍 V1.2_页面_3.jpg
2023-11-22 10:39:26
LLC电源 输出次级侧使用肖特基二极管产品整流
LLC次级侧使用肖特基二极管产品,灌胶电源有优秀的散热效果
2023-11-20 21:36:35
AD210芯片的16、17、19 这3个PIN,内部有二极管的钳位保护吗? 即:对正15V电源的二极管,对-15V电源的二极管;是否存在?
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应该怎么对管脚进一步保护呢?
2023-11-13 06:53:50
,有助于满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。
二、 SiC的性能优势
1、SiC SBD可将耐压提高到3.3kV,极大扩展了SBD的应用范围
肖特基二极管
2023-10-07 10:12:26
IGBT分立器件一般由IGBT和续流二极管(FWD)构成,续流二极管按材料可分为硅材料和碳化硅材料,按照器件结构可分为PIN二极管和肖特基势垒二极管(SBD)。材料与结构两两组合就形成了4种结果
2023-09-22 10:26:25205 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二极管,主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650
2023-09-22 09:25:32260 功率器件在工业应用中的解决方案,议程分为:功率分立器件概览 、 IGBT产品3、高压MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二极管和整流器、氮化镓PowerGaN、工业电源中的应用和总结八个部分。
2023-09-05 06:13:28
和管理者。今年,Nexperia(安世半导体)的热插拔MOSFET与碳化硅肖特基二极管两款明星产品现已双双入围年度功率半导体! 采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET(ASFET) 同时
2023-08-28 15:45:311140 宽带隙半导体使许多以前使用硅(Si)无法实现的高功率应用成为可能。本博客比较了两种材料的特性,并说明了为什么碳化硅二极管(SiC)在多个指标上具有明显的优势。
2023-08-04 11:04:17480 1700 V、50 A、第 6 代裸片 SiC 肖特基二极管采用无封装裸芯片格式的第六代高电压、高性能 Z-Rec© 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管,可实施到任何定制模块设计中较低的正向电压、较小
2023-07-31 10:26:57
1700 V、25 A、第 6 代裸片 SiC 肖特基二极管采用无封装裸芯片格式的第六代高电压、高性能 Z-Rec© 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管,可实施到任何定制模块设计中较低的正向电压、较小
2023-07-31 10:23:31
1700 V、10 A、第 6 代裸片 SiC 肖特基二极管采用无封装裸芯片格式的第六代高电压、高性能 Z-Rec© 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管,可实施到任何定制模块设计中较低的正向电压、较小
2023-07-31 10:21:42
1700 V、5 A、第 6 代裸片 SiC 肖特基二极管采用无封装裸芯片格式的第六代高电压、高性能 Z-Rec© 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管,可实施到任何定制模块设计中较低的正向电压、较小
2023-07-31 10:19:45
1200 V、50 A、第 6 代裸片 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 Gen 6 系列高电压、高性能 Z-Rec ©碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用无封装裸芯片格式,可
2023-07-31 10:15:57
650 V、4 A、第 3 代裸片 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 Gen 3 系列 650 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管具有极快的开关、零正向和放大器、反向恢复和高频操作。针对
2023-07-31 09:29:20
600 V、4 A、第 3 代裸片 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的第 3 代系列 600 V 裸片碳化硅 (SiC) 肖特基二极管具有极快的开关、零正向和放大器、反向恢复和高频操作。针对
2023-07-31 09:17:53
600 V、3 A、第 3 代裸片 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的第 3 代系列 600 V 裸片碳化硅 (SiC) 肖特基二极管具有极快的开关、零正向和放大器、反向恢复和高频操作。针对
2023-07-31 09:15:56
600 V、2 A、第 3 代裸片 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的第 3 代系列 600 V 裸片碳化硅 (SiC) 肖特基二极管具有极快的开关、零正向和放大器、反向恢复和高频操作。针对
2023-07-31 09:12:19
1700V,25A,至247-2包件,第六代离散的斯-肖特基二极管沃尔夫斯派特的1700V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的效率标准高于标准硅溶液,同时达到更高的频率和功率密度。碳化硅肖特基
2023-07-27 10:22:00
1700V,10A,至247-2包件,第六代离散的斯-肖特基二极管沃尔夫斯派特的1700V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的效率标准高于标准硅溶液,同时达到更高的频率和功率密度。碳化硅肖特基二极管
2023-07-27 10:19:54
1700V,5A,至247-2包件,第6代离散的斯肖特基二极管沃尔夫斯派特的1700V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的效率标准高于标准硅溶液,同时达到更高的频率和功率密度。碳化硅肖特基二极管可以很
2023-07-27 10:17:56
1200V型,40A型,至247-3型包件,第4代分离式肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障
2023-07-27 10:16:08
1200V,40A,至247-2包件,第4代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特的C4D40120H是一个1200V离散碳化硅肖特基二极管(40A),其特点是MPS(合并PIN肖特基)设计,是更强大和可靠
2023-07-27 10:14:00
1200V型,30A型,至247-3型包件,第4代离散性肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障
2023-07-27 09:58:50
1200V型,30A型,至247-2型包,第4代离散性肖特基二极管沃尔夫斯派特的C4D30120H是一个1200V离散碳化硅肖特基二极管(30A),其特点是MPS(合并PIN肖特基)设计,是更强
2023-07-27 09:46:22
1200V型,20A型,-263-2型包件,第4代分离式肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障
2023-07-27 09:44:25
1200V,20A,到220-2包件,第4代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特点是MPS(合并的PIN肖特基)设计,这是更强大和可靠的标准肖特基屏障二极管
2023-07-27 09:40:47
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2023-07-27 09:34:59
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2023-07-27 09:32:48
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2023-07-27 09:30:31
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2023-07-27 09:14:59
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2023-07-27 09:11:43
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2023-07-27 09:09:11
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2023-07-26 17:49:42
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2023-07-26 17:46:42
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2023-07-26 17:43:35
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2023-07-26 17:30:11
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2023-07-26 17:27:50
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2023-07-26 17:25:50
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2023-07-26 17:23:39
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2023-07-26 17:19:54
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2023-07-26 17:17:31
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2023-07-26 17:15:10
650 V、6 A、TO-220-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 650 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行了优化,包括服务器
2023-07-25 11:44:54
650 V、4 A、TO-220-2 封装、第 6 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 650 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行了优化,包括服务器
2023-07-25 11:25:07
650 V、3 A、TO-252-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 650 V 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行了优化,包括服务器
2023-07-25 11:12:54
600 V、20 A、TO-247-3 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 10:50:38
600 V、16 A、TO-247-3 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 10:46:45
600 V、10 A、TO-220-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 10:39:12
600 V、10 A、TO-263-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 10:29:01
600 V、8 A、TO-220-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 10:24:29
600 V、8 A、TO-263-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 10:21:52
600 V、6 A、TO-220-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 10:17:04
600 V、6 A、TO-220-F2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 10:14:55
600 V、6 A、TO-263-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 10:12:16
600 V、4 A、TO-220-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 10:09:36
600 V、4 A、TO-220-F2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 10:07:08
600 V、4 A、TO-252-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 09:51:09
600 V、3 A、TO-220-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 09:21:52
600 V、3 A、TO-220-F2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-25 09:18:50
600 V、3 A、TO-252-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-24 17:45:09
600 V、2 A、TO-220-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-24 17:42:41
600 V、2 A、TO-220-F2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-24 17:37:00
600 V、2 A、TO-252-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-24 17:32:22
600 V、1 A、TO-220-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基
2023-07-24 17:29:42
600 V、1 A、TO-252-2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)设计,比
2023-07-24 17:23:06
深圳市三佛科技有限公司供应MSM06065G1碳化硅二极管,耐压650V 6A DFN5*6封装,原装,库存现货热销 美浦森推出的碳化硅二极管具有更高的过电压安全裕量,可提升全负载条件下
2023-07-05 16:00:20
深圳市三佛科技有限公司供应MSM06065G1美浦森DFN5*6封装650V6A碳化硅二极管,原装,库存现货热销MSM06065G1 品牌:美浦森 封装:DFN5*6
2023-07-05 15:54:11
深圳市三佛科技有限公司供应MSM06065G1美浦森 650V6A碳化硅二极管DFN5*6,原装,库存现货热销 MSM06065G1 品牌:美浦森 封装:DFN5
2023-07-05 15:50:06
SiC JBS二极管提供卓越的功能,包括但不限于高温操作,高阻断电压和快速开关能力。本文档介绍高级交换与SiC肖特基二极管相比,GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二极管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
本产品说明展示了接近理论的理想因素和势垒高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二极管,设计用于工作温度> 225°C主要应用于井下石油钻井、航空航天和电动汽车。温度理想因子
2023-06-16 06:15:24
碳化硅肖特基二极管是一种基于碳化硅材料的半导体器件,具有高速、高温、高功率特性。其原理基于肖特基效应,即在金属与半导体接触处形成一个肖特基势垒,使得半导体中的载流子向金属一侧偏移,形成整流效应。
2023-06-07 17:10:34800 碳化硅肖特基二极管(Silicon Carbide Schottky Diode)是一种高性能半导体器件,具有低开启电压、高速开关、高温性能等优点,广泛应用于电源、驱动、逆变器、电动汽车等领域。
2023-06-04 16:09:002089 碳化硅二极管是什么 碳化硅二极管是一种半导体器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐压能力和高的温度耐受性,因此碳化硅二极管具有较低的反向漏电流、高温下稳定性良好、响应速度快等特点,广泛用于高功率、高频率、高温、高压等领域,如电源、变频器、太阳能、电动汽车等。
2023-06-02 14:10:32747 根据公司披露:上海瀚薪具备多年的车规级SiC肖特基二极管与SiC MOSFET研发及量产经验。量产产品均在各市场龙头企业得到认可并大批量出货。碳化硅二极管涵盖650V、1200V和1700V电压范围
2023-05-25 10:34:27903 在典型的二极管中,p-n结由p型和n型半导体组合而成。然而,肖特基二极管是不同的:使用金属代替p型半导体。然后,你有一个被称为肖特基势垒的m-s结,而不是p-n结(这是这些二极管得名的地方)。
2023-05-24 11:19:54506 的主要特点包括高频特性好、低反向漏电流、低正向压降、长期可靠性好等。在威廉希尔官方网站
中使用肖特基二极管需要根据具体应用场合和用途来选择器件的封装、电性能以及参数等。
1.产品结构Product Structure
2023-05-23 14:47:57
碳化硅的RDS(ON)较低,因而开关损耗也较低,通常比硅低100倍。基于碳化硅的肖特基二极管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在电力电子技术领域打破硅的极限,成为新能源及电力电子的首选器件。
2023-05-18 12:46:40277 年来碳化硅材料应用于电子设备技术有了长足的发展,碳化硅材料比通用硅有更突出的优点
2023-05-05 17:00:1195 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二极管,主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650
2023-04-20 15:55:361319 合并PIN肖特基结构可带来更高的稳健性和效率 奈梅亨, 2023 年 4 月 20 日: 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管
2023-04-20 09:39:30796 能力是硅的2~3倍。用碳化硅制成的肖特基二极管具有正温度系数及反向恢复时间接近零的特点,使得在PFC威廉希尔官方网站
(功率因数校正)上的MOSFET开通损耗减少,效率得到进一步的提升。
2023-04-17 16:36:42384 二极管常见的封装类型,DO-15、DO-27、SOD-323、SOD-723等,相信大家都很熟悉。图源:百度百科封装指的是安装半导体集成威廉希尔官方网站
芯片用的外壳。对于电子元器件来说,封装是非常有必要
2023-04-13 14:09:54
Toshiba研发出一种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其将嵌入式肖特基势垒二极管(SBD)排列成格子花纹(check-pattern embedded SBD),以降低导通电
2023-04-11 15:29:18
碳化硅肖特基二极管
2023-03-27 13:51:50
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