三星电子率先量产32GB DDR3内存模组

　　三星电子宣布，将从本月开始在全球率先量产30纳米级4Gb(bit) DDR3(Double Data Rate 3) DRAM基板的32GB(byte)内存模块。据悉，30纳米级32GB DDR3内存模组具有高性能、低功耗、大容量等特点，能够在1.35伏的电压下达到1.866Mbps传输速度，最适合应用于最新高性能的服务器，和现有的40纳米级32GB DDR3模组(1.5伏/1.333 Mbps )相比，不仅可以节省18%的能耗，而且将数据传输速度提高了40%。

　　而据记者的了解，原有的40纳米 32GB DDR3内存于2011年获得了美国CES国际消费电子展评选的环保产品创新奖，这样对比看来，30纳米级32GB DDR3服务器模组可谓是目前全球功能最优越的产品，这标志着三星最早实现了服务器专用、超节能型30纳米级32GB DDR3内存模组量产。目前三星电子的4Gb DRAM生产工艺覆盖了从服务器到笔记本一系列的产品，业内人士表示，这些新产品或将引领其从高性能、大容量服务器到移动市场的高速发展。

　　此外，与采用30纳米级2Gb DDR3 DRAM生产的模组相比，30纳米级4Gb DDR3 DRAM笔记本模组的性能依旧突出，拥有与前者相同的1.5伏/2.133Mbps的高性能。由于30纳米级4Gb DDR3 DRAM的单位产能比40纳米级4Gb DDR3 DRAM 高出50%多，它将在具有高性能、低能耗的下一代服务器市场和高端笔记本市场取代40纳米级4Gb DDR3 DRA的同时，创造新的需求。

　　实际上，自从2011年2月起，三星就已经批量生产30纳米级(1纳米相当于10亿分之一米)4Gb DDR3 DRAM，并于4月开始供应16GB模组，紧接着在本月开始提供32GB DDR3模组和高端笔记本用的30纳米级8GB DDR3模组，构建成了高性能、大容量的“绿色 DDR3产品线”。

　　有分析认为，从2011年3月开始，三星电子仅用了一个月的时间就实现了4Gb移动DRAM的量产到4Gb DRAM工艺大容量电脑用模组量产，这说明从移动市场到企业级服务器市场，三星电子将以最先进的30纳米级DRAM来推动企业对低耗能“绿色内存”的需求。

　　目前，三星为了进一步开展“绿色存储器”推广活动，将与大型服务器厂商以及电脑公司加强技术方面的交流与合作。同时，通过今年下半年举办的“半导体CIOwilliam hill官网 ”，三星将与美国以及亚洲的跨国企业首席信息官共享绿色经营(通过绿色存储器重新创造价值)带来的成果，与此同时，通过创造更为广阔的合作机会来完成“绿色IT系统”。

　　三星电子半导体事业部存储战略营销部负责人洪完勋副董事长对记者介绍说，“三星在去年2月份最早量产40纳米级4Gb DDR3 DRAM后，仅仅一年的时间里就成功实现30纳米级4Gb DDR3 DRAM的量产。可以说，我们在企业级服务器市场和移动市场等高端DRAM市场上确保了最高水平的产品竞争力和解决方案。为了适应绿色IT市场的急速发展，我们计划在下半年推出超节电型‘20纳米级4Gb DRAM’。之后，我们也坚持不断向顾客提供最高性能的‘绿色内存解决方案’，并持续发展存储器市场。”

　　记者从三星电子获知，三星电子以本次30纳米级4Gb DRAM批量生产为契机，将大幅度提高大容量DRAM的生产比重，争取最晚在2012年，将这一比重提高至所有DRAM生产的10%以上。另据市场调查机构调查显示，4Gb DRAM的市场占有率从2011年起逐渐扩大，到2012年，2013年，2014年将分别扩大至10%、35%、57%，已经成为DRAM市场的主力军。