电容器
瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中,作为回路、旁路电容器及垫整电容器。
瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲威廉希尔官方网站 中,因为它们易于被脉冲电压击穿。
按瓷介电容电介质又分:1类电介质(NP0,C0G),2类电介质(X7R,2X1)和3类电介质(Y5V,2F4)瓷介电容器。EIARS-198。
MLCC(1类)—微型化,高频化,超低损耗,低ESR,高稳定,高耐压,高绝缘,高可靠,无极性,低容值,低成本,耐高温。主要应用高高频威廉希尔官方网站 中。
MLCC(2类)—微型化,高比容,中高压,无极性,高可靠,耐高温,低ESR,低成本。主要应用于中,低频威廉希尔官方网站 中作隔直,耦合,旁路和滤波等电容器使用。
瓷片电容的容量识别方法(根据标识计算电容容量的方法)如下:
瓷片电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法和数标法3种。
电容的基本单位用法拉(F)表示,其它单位还有:毫法(mF)、微法(μF)/mju:/、纳法(nF)、皮法(pF)。其中:1法拉=1000毫法(mF),1毫法=1000微法(μF),1微法=1000纳法(nF),1纳法=1000皮法(pF)
1、容量大的电容其容量值在电容上直接标明,如10μF/16V;
2、容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示;
字母表示法:
1m=1000μF
1P=1pF(如470P=470pF)
1P2=1.2PF
1n=1000PF;
数字表示法:三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字,第三位数字表示有效数字后面零的个数,它们的单位都是pF。
如:
102表示标称容量为10×10?pF=1000pF;
104表示标称容量为10×(10^4)pF=100000pF;
470表示标称容量为47pF;
223表示标称容量为(22×(10^3))pF(即22000pF)。
在这种表示法中有一个特殊情况,就是当第三位数字用“9”表示时,是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。
如:229表示标称容量为22x10^(-1)pF=2.2pF。
瓷片电容的识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法和数标法3种。在国际单位制里,电容的单位是法拉,简称法,符号是F,由于法拉这个单位太大,所以常用的电容单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)等,换算关系是:
1法拉(F)=1000毫法(mF)=1000000微法(μF)
1微法(μF)=1000纳法(nF)=1000000皮法(pF)
瓷片电容104是0.1UF,瓷片104电容的计算方法:0.1UF=100NF=100000PF=104。
1.容量损耗随温度频率具高稳定性
2.特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性
3.高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构
瓷片电容用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成的电容器。
瓷片电容(瓷介电容)作用主要有三个方面:
1、容量损耗随温度频率具高稳定性;
2、特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性;
3、高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构。通常用于高稳定振荡回路中,作为回路、旁路电容器及垫整电容器如消除高频干扰。
瓷片电容器不宜使用在脉冲威廉希尔官方网站 中,因为它们易于被脉冲电压击穿。
陶瓷有I类瓷,II类瓷,III类瓷之分,I类瓷,NP0,温度特性,频率特性和电压特性佳,因介电常数不高,所以容量做不大;II类瓷,X7R次之,温度特性和电压特性较好;III类瓷,介电常数高,所以容量可以做很大,但温度特性和电压特性不太好。瓷片电容器一般体积不大。另外,再强调一个重要特点:瓷介电容器击穿后,往往呈短路状态。(这是它的弱点)而薄膜电容器失效后,一般呈开路状态
瓷片电容规格Ⅱ类瓷也叫做高介电常数型(HighDielectricConstantType),是适用於作旁路、耦合或用在对损耗和电容量稳定性要求不高的威廉希尔官方网站 中的具有高介电常数的一种电容器。该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表徵。其特性符合以下标准:
用途:1)旁路和耦合;2)对Q值和容量稳定性要求一般的分步威廉希尔官方网站 。
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