去耦电容和旁路电容的区别与联系
在电子威廉希尔官方网站 中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容所处的位置不同，称呼就不一样了。
对于同一个威廉希尔官方网站 来说，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦（decoupling，也称退耦）电容是把输出信号的干扰作为滤除对象。
在供电电源和地之间也经常连接去耦电容，它有三个方面的作用：一是作为本集成威廉希尔官方网站 的蓄能电容；二是滤除该器件产生的高频噪声，切断其通过供电回路进行传播的通路；三是防止电源携带的噪声对威廉希尔官方网站 构成干扰。
旁路电容是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦电容是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。去耦电容相当于电池，避免由于电流的突变而使电压下降，相当于滤纹波。具体容值可以根据电流的大小、期望的纹波大小、作用时间的大小来计算。去耦电容一般都很大，对更高频率的噪声，基本无效。旁路电容就是针对高频来的，也就是利用了电容的频率阻抗特性。只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1u，0.01u等 ，而去耦合电容一般比较大，是10u或者更大，依据威廉希尔官方网站 中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。
去耦电容（decoupling）也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象。去耦电容在集成威廉希尔官方网站 电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成威廉希尔官方网站 的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声（c对高频阻力小，将之泻至GND）。
2019-1-5 13:17 上传去耦电容的充、放电作用使集成威廉希尔官方网站 得到的供电电压比较平稳，减小了电压振荡现象；集成威廉希尔官方网站 可以就近在各自的去耦电容器上吸收或释放电流，不必通过电源线从较远的电源中取得电流，因此不会影响集成威廉希尔官方网站 的速度；同时去耦电容器为集成威廉希尔官方网站 的瞬态变化电流提供了各自就近的高频通道，从而大大减小了向外的辐射噪声并且相互之间没有公共阻抗，因此抑制了共阻抗耦合。
由于去耦电容器在高频时的阻抗将会减小到其自谐振频率，因而可以有效地除去信号线中的高频噪声，同时相对于低频来说，对能量没有影响，所以可在每一个集成威廉希尔官方网站 的电源地脚之间加一个大小合适的去耦电容器。在选择去耦电容器类型时，应考虑哪些低电感的高频电容器。如高频性能好的多层陶瓷电容器或者独石电容器。
数字威廉希尔官方网站 中，当威廉希尔官方网站 从一个状态转换为另一种状态时，就会在电源线上产生一个很大的尖峰电流，形成瞬变的噪声电压，会影响前级的正常工作。这就是耦合。对于噪声能力弱、关断时电流变化大的器件和ROM、RAM等存储型器件，应在芯片的电源线（Vcc）和地线（GND）间直接接入去耦电容。
数字威廉希尔官方网站 中典型的去耦电容值是0.1µF。这个电容的分布电感的典型值是5µH。 0.1µF的去耦电容有5µH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以 下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。 1µF、10µF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。 每10片左右集成威廉希尔官方网站 要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10µF左右。最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用 钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1µF，100MHz取0.01µ。