国外集成威廉希尔官方网站 命名方法

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描述

国外主要集成威廉希尔官方网站 生产厂家的集成威廉希尔官方网站 命名方法


缩写字符:AMD 译名:先进微器件公司(美)

器件型号举例说明 

AM
29L509
P
C
B
AMD首标
器件编号
封装形式
温度范围
分类
 "L":低功耗;D:铜焊双列直插C:商用温度,没有标志的
 "S":肖特基;(多层陶瓷);(0-70)℃或为标准加工
 "LS":低功耗肖特基;L:无引线芯片载体:(0-75)℃;产品,标有
 21:MOS存储器;P:塑料双列直插;M:军用温度,"B"的为已
 25:中规范(MSI);E:扁平封装(陶瓷扁平);(-55-125)℃;老化产品。
 26:计算机接口;X:管芯;H:商用, 
 27:双极存储器或EPROM ;A:塑料球栅阵列;(0-110)℃; 
 28:MOS存储器理;B:塑料芯片载体I:工业用, 
 29:双极微处理器;C、D:密封双列;(-40~85 )℃; 
 54/74:同25;E:薄的小引线封装;N:工业用, 
 60、61、66:模拟,双极;G:陶瓷针栅陈列;(-25~85)℃; 
 79:电信;Z、Y、U、K、H:塑料K:特殊军用, 
 80:MOS微处理器;四面引线扁平;(-30~125)℃; 
 81、82:MOS和双极处围威廉希尔官方网站 ;J:塑料芯片载体(PLCC);L:限制军用, 
 90:MOS;L:陶瓷芯片载体(LCC);(-55-85)℃< 
 91:MOS RAM:V、M:薄的四面125℃。 
 92:MOS;引线扁平;  
 93:双极逻辑存储器P、R:塑料双列;  
 94:MOS;S:塑料小引线封装;  
 95:MOS外围威廉希尔官方网站 ;W:晶片;  
 1004:ECL存储器;也用别的厂家的符号:  
 104:ECL存储器;P:塑料双列;  
 PAL:可编程逻辑陈列;NS、N:塑料双列;  
 98:EEPROM;JS、J:密封双列;  
 99:CMOS存储器。W:扁平;  
  R:陶瓷芯片载体;  
  A:陶瓷针栅陈列;  
  NG:塑料四面引线扁平;  
  Q、QS:陶瓷双列。  
AD
644
A
S
H
/883B
ANA首标器件附加说明温度范围封装形式筛选水平
AD:模拟器件编号A:第二代产品;I、J、K、L、M:D:陶瓷或金属气MIL-STD-
HA:混合 DI:介质隔离产(0-70)℃;密双列封装883B级。
A/D; 品;A、B、C:(多层陶瓷); 
HD:混合 Z:工作在+12V(-25-85)℃;E:芯片载体; 
D/A。 的产品。(E:ECL)S、T、U:F:陶瓷扁平; 
   (-55-125)℃。G:PGA封装 
    (针栅阵列); 
    H:金属圆壳气 
    密封装; 
    M:金属壳双列 
   密封计算机部件; 
    N:塑料双列直插; 
    Q:陶瓷浸渍双列 
    (黑陶瓷); 
    CHIPS:单片的芯片。 
同时采用其它厂家编号出厂产品。

 

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