关于MRAM的存储原理以及MRAM的应用优势

MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力;以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。

MRAM的存储原理

MRAM是以磁性隧道结（MTJ）储存单元为基础。MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层，和一个通过隧道结与其隔离的自由层。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时，MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性;反之MTJ便会有高电阻。此磁阻效应可使MRAM不需改变内存状态，便能快速读取数据。当流经两金属线的电流足以切换MTJ的磁场时，在两金属线交点的MTJ就会被极化（写入）。此过程能以SRAM的速度完成。

MRAM的优势

优势一：其采用的磁性极化的方式与传统的电荷存储方式不同，有效避免了电荷漏电的问题，从而保证数据能够在宽广的温度范围内被长期保存。

优势二：两个状态间的磁性极化切换不会涉及到实际的电子或原子移动，因此不会有耗损机制的存在。

优势二：两个状态间的磁性极化切换不会涉及到实际的电子或原子移动，因此不会有耗损机制的存在。

非易失性存储器-串行mram

典型威廉希尔官方网站 示例—MR25H40 4Mbit MRAM

非易失性存储器-并行mram

典型威廉希尔官方网站 示例—MR2A16A 256K×16 MRAM

MRAM使用问题

MRAM是一种铁磁性存储器，在使用的时候，应尽量避免与强磁性物质否则高压大电流导体进行短距离接触，否则容易导致内部数据丢失甚至是芯片损坏。

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