日本东北大学采用喷墨法试制出CNT晶体管

日本东北大学采用喷墨法试制出CNT晶体管

　　日本东北大学金属材料研究所低温电子物性学研究部门副教授竹延大志的研究小组利用单层碳纳米管（CNT），试制出了载流子迁移率为8.2cm2/Vs的薄膜晶体管（TFT）。其特点是在实现1.6~8.2 cm2/Vs迁移率的同时，导通/截止比高达104~105.一般情况下，CNT的载流子迁移率与导通/截止比存在此消彼长的关系（Trade-off），因此很难同时兼顾高载流子迁移率及高导通/截止比。这是因为CNT内既有半导体成分又有金属成分的缘故。