NP60P02G 20V p通道增强模式MOSFET

描述

NP60P02G采用了先进的沟槽技术

提供卓越的RDS(ON)

一般特征

较低的门

电荷。它可以用于各种各样的应用。

VDS = -20v id

R

= -60

DS(上)(Typ) = 4.8Ω@VGS

R

= -4.5 v

DS(上)(Typ) = 5.6Ω@VGS

为超低R设计的高密度电池

= -2.5 v

充分描述雪崩电压和电流

DS(上)

稳定性好，均匀性好，E值高

优秀的包装，良好的散热

作为

应用程序

负荷开关

包

- 252 - 2 - l
 

订购信息
 

绝对最大额定值(除非另有说明，TA=25℃)
 

电特性(除非另有说明，TA=25℃)
 

注:1:脉冲测试;脉冲宽度≦300ns，占空比≦2%。

2:设计保证，不经生产检验。
热特性
 

审核编辑 黄昊宇