NP50P02QR 20V p通道增强模式MOSFET
描述
NP50P02QR采用了先进的战壕
技术和设计，提供优秀的RDS(ON)与
门费用低。它可以用于各种各样的
应用程序。
一般特征
VDS = -20v, id = -50a
RDS(上)(Typ) = 5.5Ω@VGS = -4.5 v
RDS(上)(Typ) = 6.5Ω@VGS = -2.5 v
用于超低RDS(ON)的高密度电池设计
充分描述雪崩电压和电流
稳定性好，均匀性好，EAS高
优秀的包装，良好的散热
应用程序
负荷开关
包
PDFN3 * 3-8L
订购信息
绝对最大额定值(除非另有说明，TA=25℃)
电特性(除非另有说明，TA=25℃)
注:1:脉冲测试;脉冲宽度≦300ns，占空比≦2%。
2:设计保证，不经生产检验。
热特性
审核编辑 黄昊宇
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