SiC碳化硅功率器件测试哪些方面？碳化硅功率器件测试系统NSAT-2000

SiC碳化硅功率半导体器件具有耐压高、热稳定好、开关损耗低、功率密度高等特点，被广泛应用在电动汽车、风能发电、光伏发电等新能源领域。

近年来，全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国已经成为全球最重要的半导体功率器件封测基地。

目前常用的SiC碳化硅功率半导体器件主要包括：碳化sbd(schottkybarrierdiode，肖特基二极管)与碳化硅mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，金属氧化物半导体场效应管)，其中碳化硅mosfet器件属于单级器件，开通关断速度较快，对栅极可靠性提出了更高的要求，而由于碳化硅材料的物理特性，导致栅级结构中的栅氧层缺陷数量较多，致使碳化硅mosfet器件栅极早期失效率相比硅mosfet器件较高，限制了其商业化发展。为提高碳化硅mosfet器件栅级工作寿命，需要对碳化硅功率半导体器件进行基于栅极的测试，在将碳化硅功率半导体器件寿命较低的器件筛选出来，提高碳化硅功率半导体器件的使用寿命。

SiC功率器件的电学性能测试主要包括静态、动态、可靠性、极限能力测试等，其中：

（1）静态测试：通过测试能够直观反映 SiC 器件的电学基本性能，可简单评估器件的性能优劣。

各种静态参数为使用者可靠选择器件提供了非常直观的参考依据、同时在功率器件检测维修中发挥了至关重要的作用。小编推荐一款SiC静态参数测试系统NSAT-2000，该设备可测试各类型Si·二极管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二极管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的静态参数，系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口，可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。

（2）动态测试：主要测试 SiC 器件在开通关断过程中的性能。

通常我们希望的功率半导体器件的开关速度尽可能得高、开关过程段、损耗小。但是在实际应用中，影响开关特性的参数有很多，如续流二极管的反向恢复参数，栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容、栅极电荷的存在，所以针对于此类参数的测试，变得尤为重要。开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性。直接影响变换器的性能。因此准确的测量功率半导体器件的开关性能具有极其重要的意义。小编推荐一款SiC动态参数测试系统EN-1230A，该设备可测试各类型Si·二极管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二极管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的动态参数，如开通时间、关断时间、上升时间、下降时间、导通延迟时间、关断延迟时间、开通损耗、关断损耗、栅极总电荷、栅源充电电量、平台电压、反向恢复时间、反向恢复充电电量、反向恢复电流、反向恢复损耗、反向恢复电流变化率、反向恢复电压变化率、集电极短路电流、输入电容、输出电容、反向转移电容、栅极串联等效电阻、雪崩耐量等。

（3）可靠性测试：考量 SiC 器件是否达到应用标准，是商业化应用的关键。

半导体功率器件厂家在产品定型前都会做一系列的可靠性试验，以确保产品的长期耐久性能。

（4）极限能力测试：如浪涌电流测试，雪崩能量测试

浪涌电流是指电源接通瞬间或是在威廉希尔官方网站 出现异常情况下产生的远大于稳态电流的峰值电流或过载电流。

雪崩耐量即向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减，此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量。推荐ENX2020A雪崩能量测试系统，能够准确快速的测试出SiC·二极管、SiC·MOSFET等半导体器件的雪崩耐量。

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