DFN0606 MOSFET：小封装里的高效器件

KOKOKO123 2023-02-10 557

模拟技术

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对于移动和便携式产品应用中，尤其是可穿戴设备来说，准则是更精简、更高效。通过使用高效的开关选项，设计者可以拥有更多空间来嵌入功能，同时最大限度降低电池消耗。Nexperia新发布的小信号MOSFET采用超小型DFN0606，拥有低导通电阻，能够节省大量空间

新一代智能手机、智能手表/健身跟踪器、耳塞和GPS跟踪器继续拓展着科技的边界。当然，它们都有一个共同点，空间有限，很难容纳消费者想要的所有功能，并且还需要更长的电池续航能力。为了与可穿戴设备的新发明保持一致，设计者一直在努力寻找满足每种功能的高效解决方案。

低导通电阻的超小型MOSFET

在一系列低电压开关方面，小信号MOSFET是理想的选择，Nexperia新推出的PMH系列20/30 V、N沟道和P沟道器件，在超小型DFN0606中处于领先地位。它们可在0.62 x 0.62 mm占位面积中实现低导通电阻。凭借这些器件中使用的先进工艺技术，Rdson方面可以轻松地在更大的封装（DFN0806和DFN1006）中与许多器件竞争。

除了低导通电阻，它们还提供出色的ESD性能，并且仅需 0.7 V 的阈值电压即可工作，这对于低驱动电压的便携式产品应用至关重要。Nexperia的DFN0606产品组合也具有与DFN1006封装相同的0.35 mm间距，简化了设计和制造，同时具备高性能和空间优势。凭借我们大批量生产制造能力，可以快速扩产，尽可能满足市场需求。

MOSFET

DFN0606超小型封装

人气旧款已经焕然一新

除PMH系列之外，Nexperia还将发布采用DFN0606封装的NX7002BK。这款超小型封装久经实践证明60 V、N沟道Trench MOSFET，使设计人员可以选择在各种占位空间和封装形式中实现相同的性能。从引脚SOT23、SOT323和SOT363到分立式扁平无引脚DFN1010、DFN1006和DFN0606。

DFN0606 MOSFET概览

封装							DFN0606-3
尺寸(mm)							0.62 x 0.62 x 0.37
极性	VDS (V)	VGS (V)	VGSth 最小值 (V)	VGSth 最大值 (V)	ESD保护(kV)	导通电阻典型值(mΩ) (VGS = 4.5 V)
N	20	8	0.45	0.95	1.8	260	PMH260UNE
	20	8	0.45	0.95	1	470	PMH600UNE
	30	8	0.45	0.95	1.7	400	PMH400UNE
	30	8	0.45	0.95	2	550	PMH550UNE
	60	20	1.1	2.1	2	2100	NX7002BKH
P	20	8	0.45	0.95	1.8	550	PMH550UPE
	20	8	0.45	0.95	1	1000	PMH950UPE
	30	8	0.45	0.95	1.8	850	PMH850UPE
	30	10	0.45	0.95	2

审核编辑：郭婷

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