英飞凌最近发布了全新的750VG1分立式CoolSiC™MOSFET，满足工业和汽车领域对更高能效和功率密度的不断增长需求。这款产品系列包含了专为图腾柱PFC、T型、LLC/CLLC、双有源
2024-03-15 16:31:45
203 
电子发烧友网站提供《采用DFN封装的 TPS63802 2A、高效率、低IQ降压/升压转换器数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-07 10:11:32
0 Qorvo SiC 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示：“该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET，从而简化热机械设计和装配。
2024-02-29 12:50:34139 Nexperia（安世半导体）再次在 APEC 上展示产品创新，宣布发布几款新型 MOSFET，以进一步拓宽其分立开关解决方案的范围，可用于多个终端市场的各种应用。
2024-02-29 11:44:53223 DFN封装是一种先进的电子元件封装工艺，与SMD封装相比，DFN封装提供了更高的灵活性和稳定性。
2024-01-28 17:24:551388 了一款 100V MOSFET—— AONA66916 ，该器件采用AOS创新型双面散热DFN 5 x 6 封装。客户系统研发人员一直以来把 AOS 产品作为其方案设计的重要组件之一，帮助客户实现各种高性能应用
2024-01-25 15:18:42617 
新发布的RX23E-B MCU配备125kSPS速率的ΔΣADC，其性能与分立式产品相当，可支持大多数工业传感设备。
2024-01-04 18:23:53650 
作者：Bill Schweber 投稿人：DigiKey 北美编辑 所有的分立式开关功率器件都需要驱动器，无论这些器件是分立式金属氧化物硅场效应晶体管 (MOSFET)、碳化硅 (SiC
2024-01-01 13:25:00401 
型号：APM3020PUC-TRL-VB丝印：VBE2317品牌：VBsemi参数说明：- MOSFET类型：P沟道- 额定电压：-30V- 最大电流：-40A- 导通电阻（RDS(ON)）：18m
2023-12-14 15:59:51
该分立式稳压器具有与现代稳压器集成威廉希尔官方网站
（IC）等效的完整功能。
2023-12-13 17:32:56289 
型号：DMP3020LSS-13-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi详细参数说明：- 类型：P沟道MOSFET- 额定电压（Vds）：-30V- 额定电流（Id）：-11A- 导通电
2023-12-13 15:40:04
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分别为 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 图1显示Littelfuse在HV分立Si MOSFET市场具有领导地位，特别是在1700V以上产品。作为业界最高电压阻断能力（高达4700V）器件的制造商
2023-12-01 11:04:49337 
加拿大蒙特利尔 - 11月27日 - 全球知名的电子元器件分销商富昌电子最近荣获 Diodes 公司颁发的2023年最佳全球分销商奖。 Diodes公司是全球领先的高品质模拟、分立、逻辑和混合信号
2023-11-30 15:52:51131 
) MOSFET，并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件，RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia
2023-11-30 09:12:02432 
电子发烧友网站提供《分立式元件对电源进行时序控制的优缺点.pdf》资料免费下载
2023-11-29 11:36:070 高压分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其应用
2023-11-24 14:57:39195 
电子发烧友网站提供《建立FETching分立式放大器的提示.pdf》资料免费下载
2023-11-23 15:05:170 电子发烧友网站提供《集成压控振荡器的宽带锁相环能取代分立式解决方案吗.pdf》资料免费下载
2023-11-22 16:15:030 英飞凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，进一步扩展其TRENCHSTOPIGBT7产品阵容。全新器件配新一代发射极控制的EC7续流二极管，以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求
2023-11-21 08:14:06255 
分立式封装中还有一种叫作压接封装(Press Packs)或饼形封装(Capsules)的，主要应用于功率模块尚不能达到的高功率范围。在极高功率范围，功率芯片的大小可以是一个整晶圆，如下图，所以具有圆形管脚的培养皿型封装是圆形芯片的理想封装形式。
2023-11-19 17:36:02455 
，并具有良好的冷却系统。 通过 直接铜键合 （DCB） 安装在水冷散热器上的分立器件是设计工程师可用的一种解决方案，假设分立器件可以像表面贴装器件 （SMD） 一样安装。 TO 247PLUS分立式封装的回流焊 TO-247PLUS是一种理想的封装，可
2023-11-16 17:26:531059 
设计供电网络 (PDN) 时，决定使用电源模块还是自研分立式电源解决方案，需要仔细考虑设计变量。
2023-11-16 16:32:51304 ) MOSFET分立产品。Nexperia和三菱电机都是各自行业领域的领军企业，双方联手开发，将促进SiC宽禁带半导体的能效和性能提升至新高度，同时满足对高效分立式功率半导体快速增长的需求。 三菱电机的功率半导体产品有助于客户在汽车、家用电器、工业设备和牵引电机等众多领域实现大幅节
2023-11-14 10:06:00101 
在分立式封装中，650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7可输出高达150A的电流。该产品系列电流等级为40A至150A，有四种不同封装类型：TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus和TO-247-4 Plus。
2023-11-10 15:36:22265 器件，能够像IGBT一样进行高压开关，同时开关频率等于或高于低压硅MOSFET的开关频率。之前的文章中，我们介绍了 SiCMOSFET特有的器件特性 和 如何优化SiC栅极驱动威廉希尔官方网站
。今天将带来本系列文章的第三部分 SiC MOSFET的封装、系统性能和应用 。 封装 WBG半导体使高压转换器能够在更接近
2023-11-09 10:10:02333 
无过热危险的情况下实现充电速率最大化的热调节功能 ESOP8/DFN2x2-8/DFN2x3-8/DFN3x3-8封装 符合RoHS标准描述PC3221是一款适用于单节锂电池的完整恒流/恒压
2023-11-08 10:12:35
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出分立式650V IGBT7 H7新品，进一步扩展其第七代TRENCHSTOP™ IGBT产品阵容。全新器件配备尖端的EC7
2023-11-03 11:40:49644 
列文章的第二部分 SiC栅极驱动威廉希尔官方网站
的关键要求 和 NCP51705 SiC 栅极驱动器的基本功能 。 分立式 SiC 栅极驱 动 为了补
2023-11-02 19:10:01361 
1、SiC MOSFET对器件封装的技术需求
2、车规级功率模块封装的现状
3、英飞凌最新SiC HPD G2和SSC封装
4、未来模块封装发展趋势及看法
2023-10-27 11:00:52419 
（UVLO）；
前缘冲裁（LEB）；
逐周期过电流保护（OCP）；
输出开路/短路保护（OVP/OSP）；
热折返保护（TFP）；
超温保护（OTP）；
SO-7封装；
应用
电源可调光LED灯；
脱机LED电源驱动程序；
2023-10-12 15:09:18
设计者提供了实现项目管理策略的机会，从而降低了开发成本并加快了上市速度。本文重点介绍分立式微控制器（MCU） 和分立式现场可编程门阵列 （FPGA）的组合，展示了这种架构如何适合高效和迭代的设计过程。利用研究资料、实证结果和案例研究，探讨这种架构的好处，并提供示范性的应用。读完本文，嵌入式系
2023-10-03 22:05:00733 
电子发烧友网站提供《DFN2020MD-6:带有侧边可湿焊盘的无引脚封装.pdf》资料免费下载
2023-09-27 10:06:111 电子发烧友网站提供《MOSFET符合AEC-Q101标准 采用小型有引脚和无引脚DFN的SMD封装.pdf》资料免费下载
2023-09-26 15:36:081 5mm×5mm表贴封装中。相比于要在尺寸和带宽之间艰难取舍的传统分立式定向耦合器，该器件具有明显的优势，尤其是在1GHz以下的频率。使用ADL5920测量水位非常简单。测量时，会使用一根由黄铜条制成
2023-09-20 07:06:00
LED 有几种解决方案。较完善的分立式方案是将精密并联稳压器和功率双极性晶体管组合，采用电流吸收器配置。 ㅿ 分立式LED驱动威廉希尔官方网站
图 在升压转换器的输出级使用线性调节，可将 24 V 电源电压转换为 72 V，为两个并联的 LED 灯串提供所需的高电压。两
2023-09-19 03:17:18156 
DMT3020LFCL 产品简介DIODES 的 DMT3020LFCL 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效
2023-09-18 14:14:28
和功率水平。这些快速恢复硅基功率MOSFET的器件适用于工业和汽车应用，提供广泛的封装选项，包括长引线TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封装。
2023-09-08 06:00:53
DMN3020UFDF 产品简介DIODES 的 DMN3020UFDF 这种MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（ON）），同时保持卓越的切换性能，使其非常适合高效电源管理
2023-09-07 10:20:41
【 2023 年 8 月 3 日，德国慕尼黑讯】 小型分立式功率MOSFET在节省空间、降低成本和简化应用设计方面发挥着至关重要的作用。此外，更高的功率密度还能实现灵活的布线并缩小系统的整体尺寸
2023-09-06 14:18:431202 
的传统解决方案由多个分立功率 MOSFET 和多个辅助组件组成。 在传统的分立式解决方案中，设计人员至少需要两个功率 MOSFET 用于充电器的 DC/DC 变换器：一个功率 MOSFET 用于防止电池电源回流到输入端；如果需要电池的电源路径管理功能，则还需要另一
2023-08-23 14:55:04289 产品推荐 | TOLL封装MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 
由微控制器中的定时器/计数器模块产生，但如果您不想在威廉希尔官方网站
中包含微控制器，那么使用分立逻辑组件生成信号也非常简单。所示威廉希尔官方网站
的扩展可以从 8 位数字输入字产生两个 PWM 波形。每个信号有 15 个值。例如
2023-08-09 15:55:18984 
。 通常，当在热插拔和电熔丝应用中使用分立式 MOSFET 时，会假设只有一个 MOSFET 会传导整个软启动电流。这是由于每个 MOSFET 的栅极阈值电压存在多样性。因此，即使并联了多个 MOSFET，所有的功率损耗也只会发生在一个器件里。那么就需要加大 MOSFET 的额定值和封装尺寸，
2023-07-28 16:25:51413 
QFN、DFN封装是一种先进的封装形式，即双框架芯片封装。它具有小体积、高密度、热导性好等优点，被广泛应用于集成威廉希尔官方网站
封装领域。QFN、DFN封装工艺包括以下几个步骤：芯片切割：使用划片机等设备将芯片
2023-07-24 09:30:23950 
通过AEC-Q101认证且可承受的接面温度高达175°C，强茂P沟道MOSFET是汽车设计工程师理想的选择，可实现简化威廉希尔官方网站
而又不牺牲性能。提供DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L和TO-252AA多种封装。
2023-07-20 15:57:45526 3020 CNC + Arduino + GRBL + CN固件
2023-07-17 15:51:395 本文将介绍在设计分立式宽带全差分PGIA时要注意的关键事项，并展示PGIA在驱动高速信号链μModule®数据采集解决方案时的精密性能。
2023-07-10 15:40:47265 
在现今电力电子领域，高压（HV）分立功率半导体器件变得越来越重要，Littelfuse提供广泛的分立HV硅(Si)MOSFET产品系列以满足发展中的需求。
2023-07-07 10:11:47483 
工厂后续还将开始更多产品型号碳化硅器件的样品申请，并批量出货中国市场。 C3M0040120K是一款1200 V/40 mΩ/66 A第三代分立式碳化硅MOSFET，采用TO-247-4封装
2023-07-06 10:35:14373 在本文中，我将对不同的电机控制实现方案进行比较，包括分立式和完全集成式选项，从而帮助您找到适合您设计的方法。表 1 比较了各种电机控制选项的集成度。
2023-07-04 10:27:42427 
可穿戴设备只是可以从分立式RTC中受益的应用的一个例子。医疗设备是另一个领域。例如，糖尿病患者的胰岛素笔由纽扣电池供电。如果这些笔中的微控制器必须始终保持打开状态才能使内置RTC运行，则电池将很快
2023-06-28 15:41:26322 ，以及用于小型Li+电池的电源路径充电器。Mital解释了PMIC如何为真无线立体声（TWS）耳塞提供“一站式电源解决方案”。这种耳塞非常先进，通常具有用于主动降噪的附加麦克风、生物识别传感器和微小外形的实时语言翻译。“分立式或半分立式电源解决方案很难满足这些要求，”Mital说。
2023-06-28 09:50:13227 1ns
DFN10封装有使能引脚，待机时静态功耗低至7uA
SOP8、HSOP8、DFN10、DFN8封装
结温范围-40°C~150°C
NSD1224典型应用框图纳芯微NSD1224半桥驱动性能优异
2023-06-27 15:14:07
目录 ⊙击穿电压 ⊙导通电阻 ⊙跨导 ⊙阈值电压 ⊙二极管正向电压 ⊙功率耗散 ⊙动态特性 ⊙栅极电荷 ⊙dv/dt 能力 尽管分立式功率MOSFET的几何结构，电压和电流电平与超大规模集成威廉希尔官方网站
2023-06-17 14:24:52591 
请问新唐ARM内核的QFN32封装2脚5V供电的单片机?谢谢
2023-06-16 06:38:16
引言：和上一节不同的逆变器（传送门：FCD-6：逆变器）不同的是，本节简述的整流器是和逆变器相反的一个过程，即将交流电AC转换为直流电DC。小功率输入的可以由集成方案解决，功率稍大的都是采用分立方案，本节主要简述分立式整流器的整流原理，集成式同理。
2023-06-14 16:45:31501 
引言：逆变器，inverter，即将直流电DC转转换为交流电AC的装置，小功率输出的可以由集成方案解决，功率稍大的都是采用分立方案，本节主要简述分立式逆变器的逆变原理，集成式同理。
2023-06-13 17:11:311257 
MOS类型高低边开关固有其优势，比如压降小，损耗低，控制简易，使用场景也比BJT类型的高低边开关广泛
2023-06-07 17:15:38467 
在深入研究关键参数之前，我们先来看看不同类型的负载开关。高压侧负载开关将负载与电源连接或断开，由外部启用信号控制开关将高压侧电源电流切换到负载。
2023-06-07 16:12:171355 
基于单个MOSFET拓扑的负载开关只能阻断一个方向的电流，由于MOSFET有一个固有的体二极管，如果存在反向电流，它们的作用就像处于导通状态的二极管
2023-06-07 16:09:252204 
需要通过负载开关将威廉希尔官方网站
或子系统与电源断开有几个原因，一个非常简单和常见的原因是，它有助于节省电力。
2023-06-07 15:35:32877 引言：当传统设备与使用较小电平的新设备连接时，需要进行逻辑电平转换。
2023-06-07 15:32:48621 
PRISEMI芯导产品推荐 | TOLL封装MOSFET系列
2023-06-06 10:02:58824 
理由相信潮流正在转变。正如TechInsights在不久前发布的PCIM Europe 2023 -产品公告和亮点博客[4]文章中所讨论的那样，英飞凌宣布推出采用3.3 kV SiC MOSFET芯片的CoolSiCTM XHPTM 2大功率模块[5]。
2023-06-03 12:30:58382 
技术的不断提升，国内的终端应用客户也更加趋向于实施国产化采购，给国内半导体分立器件企业带来更多的发展机遇。
根据中国半导体行业协会发布的《中国半导体行业发展状况报告》显示，2019 年中国半导体分立
2023-05-26 14:24:29
TOLL（Transistor Outline Leadless）封装的MOSFET，由于其封装形式具有小体积、低封装电阻、低寄生电感、低热阻等特点，已经在电动自行车、电动摩托车、锂电保护、通信电源等终端客户得到广泛使用。
2023-05-13 17:38:521981 
是否可以获得HVQFN148 SOT2111-1封装的3D STEP模型？
2023-05-12 07:21:34
TGF3021-SM 产品简介Qorvo 的 TGF3021-SM 是一款 30 W (P3dB) 宽带无可比拟的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN，可在 DC 至 4 GHz
2023-05-11 10:54:16
TGF3020-SM 产品简介Qorvo 的 TGF3020-SM 是一款 5W (P3dB)、50 欧姆输入匹配的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN，工作频率范围为 4.0 至
2023-05-11 10:47:06
TGF3015-SM产品简介Qorvo 的 TGF3015-SM 是一款 10W (P3dB)、50 欧姆输入匹配的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN，工作频率范围为 30 MHz 至 3.0
2023-05-11 10:39:42
TGF2979-SM产品简介Qorvo 的 TGF2979-SM 是一款 25 W (P3dB) 宽带无可比拟的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN，可在 DC 至 12 GHz 和 32V
2023-05-11 10:20:37
TGF2978-SM产品简介Qorvo 的 TGF2978-SM 是一款 20 W (P3dB) 宽带无可匹敌的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN，可在直流至 12 GHz 和 32V 电源轨
2023-05-11 10:13:01
TGF2977-SM产品简介Qorvo 的 TGF2977-SM 是一款 5 W (P3dB) 宽带无可比拟的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN，可在 DC 至 12 GHz 和 32V 电源
2023-05-11 10:04:40
TGF2954产品简介Qorvo 的 TGF2954 是一款分立式 5.04 mm GaN on SiC HEMT，工作频率为 DC-12 GHz。TGF2954 通常提供 44.5 dBm 的饱和
2023-05-11 09:42:55
TGF2933 产品简介Qorvo 的 TGF2933 是一款 7 W (P3dB) 分立式 GaN on SiC HEMT，可在 DC 至 25 GHz 和 28 V 电源下工作。该器件
2023-05-11 09:32:02
TGF2023-2-20 产品简介Qorvo 的 TGF2023-2-20 是基于 SiCHEMT 的分立式 20 mm GaN，工作频率范围为 DC 至 14 GHz
2023-05-10 20:18:21
TGF2023-2-10产品简介Qorvo 的 TGF2023-2-10 是一款分立式 10 mm GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 DC 至 14 GHz。TGF2023-2-10
2023-05-10 20:07:14
TGF2023-2-05 产品简介Qorvo 的 TGF2023-2-05 是一款分立式 5.0 mm GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 DC 至 18 GHz
2023-05-10 20:00:44
TGF2023-2-02产品简介Qorvo 的 TGF2023-2-02 是一款分立式 2.5 mm GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 DC 至 18 GHz。TGF2023-2-02
2023-05-10 19:52:31
TGF2023-2-01产品简介Qorvo 的 TGF2023-2-01 是一款分立式 1.25 mm GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 DC 至 18 GHz。该器件通常提供 38
2023-05-10 19:13:39
QPD9300产品简介Qorvo 的 QPD9300 是一款 30 W (P3dB) 内部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 9.2 至 9.7 GHz，电源轨为 28 V
2023-05-10 13:11:25
QPD1425L产品简介Qorvo 的 QPD1425L 是一款 375W 分立式 GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 1.2 至 1.4 GHz，通常提供 56.3dBm 的饱和
2023-05-10 13:04:06
QPD1425产品简介Qorvo 的 QPD1425 是一款 375W 分立式 GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 1.2 至 1.4 GHz，通常提供 56.3dBm 的饱和输出功率
2023-05-10 12:57:11
QPD1019产品简介Qorvo 的 QPD1019 是一款 500 W (P3dB) 内部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 2.9 至 3.3 GHz 和 50V 电源
2023-05-10 11:47:25
QPD1018 产品简介Qorvo 的 QPD1018 是一款 500 W (P3dB) 内部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 2.7 至 3.1 GHz
2023-05-10 11:40:23
QPD1017产品简介Qorvo 的 QPD1017 是一款 450 W (P3dB) 内部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 3.1 至 3.5 GHz，采用 50V
2023-05-10 11:31:32
QPD1006产品简介Qorvo 的 QPD1006 是一款 450 W (P3dB) 内部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 1.2 至 1.4 GHz 和 50V 电源
2023-05-09 19:01:23
QPD2160D 产品简介Qorvo 的 QPD2160D 是一款分立式 1600 微米 pHEMT，工作频率范围为直流至 20 GHz。QPD2160D 采用 Qorvo 经验证的标准
2023-05-09 10:39:57
QPD2120D产品简介Qorvo 的 QPD2120D 是一款分立式 1200 微米 pHEMT，工作频率范围为直流至 20 GHz。QPD2120D 采用 Qorvo 经验证的标准 0.25um
2023-05-09 10:27:39
QPD2080D产品简介Qorvo 的 QPD2080D 是一款分立式 800 微米 pHEMT，工作频率范围为直流至 20 GHz。QPD2080D 采用 Qorvo 经验证的标准 0.25um
2023-05-09 10:15:57
QPD2060D产品简介Qorvo 的 QPD2060D 是一款分立式 600 微米 pHEMT，工作频率范围为直流至 20 GHz。QPD2060D 采用 Qorvo 经验证的标准 0.25um
2023-05-09 10:08:09
QPD2040D产品简介Qorvo 的 QPD2040D 是一款分立式 400 微米 pHEMT，工作频率范围为直流至 20 GHz。QPD2040D 采用 Qorvo 经验证的标准 0.25um
2023-05-09 09:57:54
QPD2025D产品简介Qorvo 的 QPD2025D 是一款分立式 250 微米 pHEMT，工作频率范围为直流至 20 GHz。QPD2025D 采用 Qorvo 经验证的标准 0.25um
2023-05-09 09:48:26
QPD2018D产品简介Qorvo 的 QPD2018D 是一款分立式 180 微米 pHEMT，工作频率范围为直流至 20 GHz。QPD2018D 采用 Qorvo 经验证的标准 0.25um
2023-05-09 09:37:38
Vishay 推出三款新系列汽车级表面贴装标准整流器，皆为业内先进的薄型可润湿侧翼 DFN3820A 封装器件。
2023-04-28 09:09:53390 
温湿度传感器DFN封装芯片管脚焊点保护防振动补强用底部填充胶应用由汉思新材料提供客户的产品是DFN封装IC芯片（双边无引脚扁平封装）的温湿度传感器，尺寸为2.5*2.5*0.9(长宽高)客户需要
2023-04-17 16:10:03495 
像蜡烛一样，功率MOSFET（功率场效应晶体管）是切换负载最常见的方式，其四周围绕着众多分立电阻器与电容器（以及用于控制功率MOSFET的双极结型晶体管（BJT）/第二个场效应晶体管）围绕的功率MOSFET）。但在多数情况下，使用全面集成的负载开关具有更显著的优点。
2023-04-15 09:17:39512 
Diodes公司(Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出碳化硅(SiC) 系列最新产品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。
2023-04-13 16:30:16215 KUU推出超小型SOT-723封装MOSFET，特别为空间受限的便携式应用优化的新一代MOSFET，这些新低阈值电压MOSFET采用KUU先进的沟槽工艺技术来取得能够和SOT-523等大上许多封装
2023-04-04 16:10:39987 
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