晶体管输出伏安特性讲解

晶体管输出伏安特性，是指一个确定的基极电流Ib下，集电极电流Ic与与输入电压Uce的关系，理想状态下如下图关系，集电极电流与输入电压没有关系，是由基极电流决定的。

但现实并不是那没完美，输出伏安特性中的区域划分：

1）放大区。如下图的空白区域，在此区域为理想状况Ic由Ib决定即Ic=βIb。几乎不受电压Uce控制。

2）饱和区。如下图标注黄色竖线区域，在此区域Ic随着电压Uce增大而增大，也就是我们设计时候想让三极管导通必须供电电压大于规格书上的饱和压降（常用Uces表示），饱和压降一般约为0.3V左右.但很显然随着Ib升高，饱和压降也逐渐上升。

盘断标准：只要UCEQ

3）截止区。Ib=0的区域，因为漏电流的存在，Ic不为0，截至区就是三极管的出水阀没有打开开关，可能存在一点点漏水，设计时要考虑这点漏水是否对产品有影响。

4）倒置装填。此种状态笔者感觉是一种错误状态，所谓的倒置状态，就是在放大威廉希尔官方网站 中集电极和射极接反了。比如粗心的人把集电极和射极接反，因为PN结拓扑上，一般不会烧，反过来即可

关于放大区，饱和区总结：

1）在放大区：集电极电流Ic恒等于基极电流Ib的β倍，与Uce无关。

2）在饱和区：集电极电流随Uce增大而增大，近似为线性。

3）饱和区和放大区分界线为Uces=0.3v