中芯国际公布“半导体结构及其形成方法”专利

　　最近，中芯国际有许多新的专利信息，其中发明专利名称为“半导体结构及形成方法”，公开编号为cn116508133a。

　　根据专利要点，具体的形成方法是提供包括目标层的基础（base）， base包括用于形成目标图像层的目标区域和与截断位置相对应的截断区域。

　　基底上形成口罩侧壁。以面罩侧壁为面罩，图形花木表层形成分立的初期图形层，初期图形层横向延长，横向和垂直方向纵向，靠近纵向的初期图形层之间形成凹槽。在目标区域和截断区域的边界上形成贯穿初期图像层的边界槽。

　　在槽和边界槽中形成间隔层。以位于边界定义槽上的图层和槽间隔的间隔图层分别应对横向及纵向的静止层叠，切割领域的初期图片图层和剩下的初期图形对象领域的目标图形对象的层叠。

　　据悉，上述发明专利有利于增加大刻蚀切割区早期图像层的技术窗口。