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IGBT工艺流程 IGBT模块封装流程

消耗积分:1 | 格式:pdf | 大小:0.39 MB | 2023-08-08

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IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由 BJT（双 极型三极管）和 MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器 件， 兼有 MOSFET 的高输入阻抗和 GTR 的低导通压降两方面的优点。GTR 饱和压降低，载 流密度大，但驱动电流较大；MOSFET 驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密 度小。IGBT 综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流 电压为 600V 及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明威廉希尔官方网站 、牵引传动等领 域。 IGBT 模块是由 IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与 FWD（续流二极管芯片）通过特定 的威廉希尔官方网站 桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的 IGBT 模块直接应用于变频器、UPS 不 间断电源等设备上； IGBT 模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模 块化产品，一般所说的 IGBT 也指 IGBT 模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市 场上将越来越多见； IGBT 是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性 新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。

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