讲解一下SRAM型FPGA在轨会遇到的问题及其影响

SRAM型FPGA属于核心元器件，因此对SRAM型FPGA进行抗辐照加固设计非常必要。今天贫道主要给大家布道一下SRAM型FPGA在轨会遇到的问题及其影响。

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**************SEE分类

SRAM型FPGA空间应用下面临的主要问题是单粒子效应和总剂量效应。如图1所示，单粒子效应包括单粒子闩锁SEL，单粒子翻转SEU，单粒子瞬变SET和单粒子功能中断SEFI。SEL属于硬错误，可能会导致FPGA器件损伤。而SEU，SET和SEFI则属于软错误，一般不会对器件造成损伤，但会影响FPGA功能。

图1 元器件单粒子效应的分类

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TID

经常听说某国产元器件TID指标大于100Krad or 150K rad，为啥要定义这个指标呢？不同轨道的航天器遭受的年剂量是不一样的，比如LEO轨道遭受的只有几Krad[si]，GEO轨道年剂量可能达到100Krad[si]，而MEO轨道年剂量最高可达数百Krad[si]。

这里提到的指标是典型的3mm铝屏蔽下的年剂量，乘以卫星的使用寿命，并考虑2~3倍的抗辐射设计余量（RDM），就是型号任务通常的抗总剂量要求。为了满足总剂量的要求，可以通过设备机箱进行屏蔽，也可以通过整星设计，设备机箱结合其他结构件组合屏蔽。一般到元器件层面总剂量指标大于100Krad能满足型号任务的需求。

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**************SEL

目前主流的SRAM型FPGA是CMOS工艺，由于天然的寄生效应，一个NMOS和一个PMOS串联起来产生PNPN结构。受单粒子效应的影响，PNPN会处于导通状态且不断电会一直处于导通状态，影响管子使用寿命。随着导通的管子数量增多，外在表现就是电流会阶梯型上升。某国产宇航级的FPGA会在芯片内部进行SEL特殊加固设计, 指标达到84 Mev.cm^2/mg板级设计不需要考虑额外的抗SEL设计。

工业级的FPGA则必须要在板级设计中考虑电源的监测和管理。由于威廉希尔官方网站 的阶梯型上升特点，只对一级电源进行监测缺点是灵敏度不够，发现不了潜在的闩锁。最好对每路电源进行监测，提高灵敏度，一旦发生异常，采取断电重启。

图2 CMOS威廉希尔官方网站 中的寄生效应

图3 发生SEL后电流阶梯型上升

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SEFI

SEFI分为应用级SEFI和器件级SEFI。如表1所示，器件级SEFI包括POR SEFI，SelectMAP SEFI，FAR SEFI和全局信号的SEFI。一般需要通过外部的刷新威廉希尔官方网站 对器件级SEFI进行监测，并采取相应的应对措施。某国产宇航级的FPGA会在芯片内部进行SEFI特殊加固设计，指标达到37 Mev.cm^2/mg，极大增强了FPGA在轨稳定运行的能力。

应用级SEFI需要把由SEU导致的用户层面逻辑功能异常刨除掉，专注一些基础性的一般性的东西，否则应用级SEFI就是一个模糊不清的概念。本文中应用级SEFI指的是时钟SET、复位毛刺和MMCM/PLL/DCM的功能异常，下面对应用级SEFI分类进行说明。

1）时钟SET

如图5所示，尽管对威廉希尔官方网站 做了TMR加固，但时钟信号的SET会导致该时钟域下的所有寄存器发生SEU，最终Voter判定结果错误，TMR加固失效。

图5 时钟毛刺

对时钟网络推荐采用GTMR策略，时钟IO不做TMR，对BUFG做TMR。加固前单点失效路径是整个时钟routing，加固后单点失效路径是IO到BUFGs的交汇处，通常单点失效路径截面大为减少。

图6 GTMR有效降低时钟网络SET概率

2）复位毛刺

FPGA加载时用GSR来控制寄存器和状态机初值，因此并不需要额外产生复位信号来做初值控制。比如，不需要复位的寄存器（如数据流相关的寄存器）不设计外部复位，用GSR做初值控制。对复位毛刺很敏感的寄存器和状态机，可以改用同步复位，同步复位比异步复位消耗资源多一些，但比异步复位对毛刺敏感性低。

图7 异步复位同步释放威廉希尔官方网站

如果外部异步复位扇出较多的寄存器，可以用GTMR加固策略。复位信号经过3个BUFG走全局时钟专用网络，单路复位毛刺翻转影响不了另外两路复位信号对应的寄存器。

3）MMCM/PLL/DCM

MMCM/PLL/DCM的LOCK信号为高并不代表功能一定正常，因此建议开发一种缓解方案，例如通过计数器来检测MMCM/PLL/DCM输出故障。一旦MMCM/PLL/DCM发生故障，进行复位操作。

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**SEU**

单粒子翻转SEU可以发生在FPGA任意的资源上，比如配置SRAM、配置逻辑威廉希尔官方网站 、用户逻辑DFF和块存储器等。

配置SRAM的SEU直接影响的是查找表LUT的值和互连资源的连接关系。查找表值的错误会导致用户逻辑功能出错，逻辑错误向下传播还可能导致时序单元出错。此外如果LUT用作了分布式RAM或者移位寄存器SRL，那么还会导致存储数据出错。

互连出错可能导致用户逻辑连接出错，连接错误向下传播可能导致时序单元出错。互连出错还可能导致互连产生短路，引起静态功耗增加。

触发器DFF的SEU会导致用户逻辑状态出错和FSM状态机出错。流水寄存器状态出错的影响仅限于单个时钟周期，因此影响比较小。FSM状态机出错可能会造成严重的影响。如图8 所示，状态机如果发生翻转至为定义的状态，那会导致状态机锁死，用户功能无法恢复。

图8 状态机发生SEU导致锁死

BRAM块存储器发生SEU可能会造成功能出错。当BRAM资源用作ROM，ROM存储重要的参数，重要参数发生错误会导致用户功能受到严重影响。比如FPGA内部跑软核，程序存储在FPGA内部的BRAM资源中，BRAM程序区的SEU会导致指针乱跳，程序跑飞。

图9 软核存储器发生SEU导致程序跑飞

战术总结

对于SRAM型的FPGA而言，单粒子效应SEE可产生严重的影响。





审核编辑：刘清