瞻芯电子依托自建的碳化硅(SiC)晶圆产线,开发了第二代碳化硅(SiC)MOSFET产品,其中IV2Q12040T4Z (1200V 40mΩ SiC MOSFET)于近日获得了AEC-Q101车规级可靠性认证证书,而且通过了新能源行业头部企业的导入测试,正式开启量产交付。
这不仅验证了瞻芯电子第二代SiC MOSFET工艺平台的可靠性,也为后续即将量产的其他SiC MOSFET产品奠定了坚实基础,同时也标志着瞻芯电子碳化硅晶圆厂迈进新的阶段。
产品特性
瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET产品驱动电压(Vgs)为15-18V,可提升应用兼容性,简化应用系统设计。在产品结构上,第二代SiCMOSFET与第一代产品同为平面栅MOSFET,但进一步优化了栅氧化层工艺和沟道设计,使器件比导通电阻降低约25%,并显著降低开关损耗,提升系统效率。同时,第二代SiC MOSFET产品依然保持高可靠性与强鲁棒性,在AEC-Q101车规可靠性认证、短路测试、浪涌测试中等评估中表现优良。
此外,瞻芯电子将在2023年陆续推出更多规格类型的第二代SiC MOSFET,耐压等级包括650V/750V/1200V/1700V,导通电阻覆盖14mΩ-50Ω,并且大都采用车规级标准设计,如下:
IV2Q12040T4Z是一款车规级1200V40mΩ SiC MOSFET产品,导通电流Ids=65A(Tc=25℃),可耐受工作结温高达175℃,在对比同类产品测试中,其比导通电阻较低,开关损耗与寄生电容更小,适用于更高开关频率。
注:所有数据均由瞻芯电子通过同一双脉冲测试平台实测所得。
Eon/Eoff测试条件为VDS=800VIDS=30A
在25℃调整Rg_on和Rg_off,使dV/dt和di/dt达到目标值;175℃下Rg不变
备注:所有数据均由瞻芯电子通过同一双脉冲测试平台实测所得
反向恢复测试条件为VDS=800VIDS=30A
在25℃调整Rg使di/dt达到目标值;175℃下Rg不变
IV2Q12040T4Z的可靠性与鲁棒性也表现不俗,能通过严苛的车规级可靠性认证(AEC-Q101标准,包括100% Vds HTRB、HV-H3TRB等加严项目)。
IV2Q12040T4Z在短路测试中,可耐受500A峰值脉冲电压,短路时间大于3uS,波形图如下:
IV2Q12040T4Z在单次10ms浪涌电流测试中,可耐受峰值电流高达214A,波形图如下:
IV2Q12040T4Z采用T0247-4封装,具备开尔文源极引脚,能减小主回路对驱动信号的影响,因此更适合高功率、高频率、高效率的应用场景。
典型应用
1. 电机驱动
2. 光伏逆变器、储能
3. 车载直流变换器(DC-DC)
4. 车载空压机驱动
5. 开关电源
6. 充电桩
7. 特种工业电源
审核编辑:彭菁
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !