美国政府拟为博世加州晶圆厂改造项目提供 2.25 亿美元补贴

  12 月 16 日消息，根据美国商务部当地时间 13 日公告，美国政府已同博世就一份《CHIPS》法案补贴达成不具约束力的初步备忘录，计划向博世的加州晶圆厂改造项目提供 2.25 亿美元直接资金和 3.5 亿美元（当前约 25.49 亿元人民币）贷款。

  博世在 2023 年收购了 TSI Semiconductors，取得 TSI 加州罗斯维尔 8 英寸（200mm）晶圆厂所有权，并表示将把该晶圆厂改造为 SiC 碳化硅生产设施，目标 2026 年投产。 加州罗斯维尔晶圆厂是博世在美首个半导体生产基地。该改造项目耗资 19 亿美元（当前约 138.37 亿元人民币），将导入最先进的碳化硅生产工艺。美国商务部表示，该晶圆厂满载时有望生产博世绝大部分碳化硅半导体，并占到美国碳化硅器件总产能的 40% 以上。 除直接资金和贷款以外，博世还计划向美国财政部申请相当于合格资本支出额 25% 的先进制造投资抵免。

审核编辑 黄宇