安世半导体650V IGBT网络研讨会精彩回顾

为满足越来越多的对稳健、高效和具有成本效益的电源解决方案日益旺盛的需求，Nexperia IGBT采用先进的载流子储存沟栅场截止(FS)工艺，为工业应用带来高可靠性的同时，提高功率密度。 

安世半导体的IGBT功率半导体产品总监史威为广大工程师带来了《高可靠性IGBT的新选择——安世半导体650V IGBT介绍及其优势》的网络研讨会，深入解析了安世半导体TO247 - 3封装的650V IGBT以及其大幅优化的关断损耗与关断过压尖峰，如何达成较低温升与卓越效率，并探讨其在系统功率转换及电机驱动方面的应用优势。 

答疑回顾

在直播中，我们收到了大家的热情回应。在此我们精选了一些比较有代表性的提问在这里与大家分享。

1安世的优势有哪些？

我们的 650 V系列涵盖Nexperia的多款中速(M3)和高速(H3) 分立式 IGBT，采用TO-247-3L封装，可供设计人员自由选择。20 kHz以下的M3系列经过优化，进一步降低了导通损耗，保持了出色的开关损耗性能，并具备5 μs短路能力。H3系列（20 kHz至50 kHz）重点优化了开关损耗，同时其导通损耗非常低。Nexperia一直重点关注不断优化器件导通性能和开关性能之间的权衡，以提高器件可靠性（通过了高压高湿高温反偏HV-H3TRB测试），并在高达175℃的环境中提高逆变器功率密度。

2能否分享一些安世半导体650V IGBT在特定行业应用中的成功案例？

比较多，主要集中在家电、工业以及汽车，比如家用空调PFC，EV汽车空调压缩机，光伏储能，商业感应加热等等。

3如何解决散热问题？

安世650V IGBT 损耗小，热阻低，可以轻松替换。

4电流最大能做到多少？

目前最大电流是75A。

5和其他家方案比, 效率能提升多少?

以10KW电驱为例，使用安世NGW40T60M3DFP的逆变器，峰值效率可达98.6%，相较竞品提高0.5-1。

6安世的650V FS2 IGBT的开关频率最高能达到多少？

中速管在10Khz-30hz，高速管一般在25Khz-50khz。

7给个spec链接。

您好，请长按识别二维码，或访问我们官网www.nexperia.com查看更多数据手册。

8如何消除或是减弱开关时电流的不平衡？

选用参数分布把控较严的功率器件，驱动回路的寄生参数对称、功率回路的寄生参数对称。

9安世650V IGBT相比同类产品，在温升控制方面有哪些显著优势？

由于我们损耗小，热阻小（芯片面积略大），所以温升上边我们相比竞品要小。

Nexperia (安世半导体) 

Nexperia（安世半导体）总部位于荷兰，是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的全球性半导体公司，目前在欧洲、亚洲和美国共有14,000多名员工。作为基础半导体器件开发和生产的领跑者，Nexperia（安世半导体）的器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域，几乎为世界上所有电子设计的基本功能提供支持。 

Nexperia（安世半导体）为全球客户提供服务，每年的产品出货量超过1,000亿件。这些产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面成为行业基准，获得广泛认可。Nexperia（安世半导体）拥有丰富的IP产品组合和持续扩充的产品范围，并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001标准认证，充分体现了公司对于创新、高效、可持续发展和满足行业严苛要求的坚定承诺。

Nexperia：效率致胜。