湖南静芯推出4路单向深回扫型带集成超强VCC防护静电保护器件SEUCS236T5V4UA

【新品发布】湖南静芯推出4路单向深回扫型带集成超强VCC防护静电保护器件SEUCS236T5V4UA

湖南静芯推出4路单向深回扫型超强VCC防护静电保护器件SEUCS236T5V4UA。SEUCS236T5V4UA共有4个IO引脚，一个超强VCC保护引脚，可同时保护四条数据信号线和一条电源信号线免受ESD(静电放电)引起的干扰而损坏，可适用于DP2.0/2.1、SIM卡和10/100/1000 以太网等接口的信号线防护。根据IEC61000-4-2规范，SEUCS236T5V4UA可提供高达±30kV(接触放电)、±30kV(空气放电)的ESD保护。

深回扫型ESD介绍

回扫特性ESD防护器件具有超小封装体积、超低钳位电压、超低结电容特性，相比常规工艺 TVS 防护效果更优，且不影响信号完整性，可更有效保护高速数据接口免受瞬态过电压的影响，为相关电子产品设备加固防护，提升消费者使用体验。

常规型ESD的电压会随着IPP（峰值脉冲电流）的增加而等比例增加，呈现出一个较为线性的增长趋势。而深回扫型ESD器件在当电压达到VT（触发电压）后会瞬间将两端的钳位电压拉低，进入一个小于工作电压VRWM的较低电压VHOLD,之后随着电流的增加电压逐渐增大。

其相较于常规ESD器件的优点有：

更低的钳位电压：在相同的IPP下，带回扫ESD的VC（钳位电压）比常规ESD器件低30%以上。

更低的漏电流：这类ESD器件具有更低的漏电流，有助于降低设备的功耗，实现更节能的设计。

更深的应用范围：带回扫ESD的优异性能使其适用于更深的领域，如低压移动电子设备、汽车电子、工业控制等对ESD保护要求较高的场合。

图1 ESD特性曲线图对比

通过对比常规ESD和带回扫ESD的特性曲线图及其优点，可以看出带回扫ESD在ESD保护方面具有更出色的性能和应用前景。

SEUCS236T5V4UA介绍

SEUCS236T5V4UA是湖南静芯研发的一款超低电容深回扫型4路单向带超强VCC保护的ESD静电保护器件，可适用于DP2.0/2.1、SIM卡和10/100/1000 以太网等接口的信号线防护。与其他的深回扫型ESD保护器件不一样的是，SEUCS236T5V4UA共有4个IO引脚，一个超强VCC保护引脚，可同时保护四条数据信号线和一条电源信号线免受过应力事件的干扰。

图2 SEUCS236T5V4UA引脚配置图

SEUCS236T5V4UA的工作电压为3.3V，IO-GND的钳位电压为5.6V，电容为0.7pF，根据IEC61000-4-5标准可承受高达14A(8/20μs)的峰值脉冲电流；VCC -GND的钳位电压为12.5V，电容为220pF，根据IEC61000-4-5标准可承受高达27A(8/20μs)的峰值脉冲电流。根据IEC 61000-4-2 (ESD) 规范，SEUCS236T5V4UA可用于提供高达±30kV(接触放电)，±30kV(空气放电)的ESD保护。

该器件的相关曲线图及参数如下所示。

IO-GND 8/20μs浪涌曲线	VCC-GND 8/20μs浪涌曲线
IO-GND结电容曲线	VCC-GND结电容曲线
IO-GND IV曲线	VCC-GND IV曲线

表1 SEUCS236T5V4UA相关曲线图

At TA = 25℃ unless otherwise noted

Parameter	Symbol	Conditions	Min.	Typ.	Max.	Units
Reverse Stand-off Voltage	VRWM				5.0	V
Reverse Breakdown Voltage	VBR	IT=1mA，IO-GND	5.5	7.1		V
		IT=1mA，VCC-GND	5.5	6.9		V
Reverse Leakage Current	IR	VRWM=5.0V			0.1	uA
Clamping Voltage	VCL	IPP=1A; tp=8/20us;  Pin1,3,4,6 to Pin2		1.5	2.5	V
	VCL	IPP=14A; tp=8/20us;  Pin1,3,4,6 to Pin2		5.6	6.5	V
	VCL	IPP=1A; tp=8/20us;  Pin5 to Pin2		7.5	9.5	V
	VCL	IPP=27A; tp=8/20us;  Pin5 to Pin2		12.5	15.0	V
Junction Capacitance	CJ	I/O to GND; VR=0V; f=1MHz		0.7	1.0	pF
		Between I/O; VR=0V; f=1MHz		0.3	0.5
		VCC-GND; VR=0V; f=1MHz		220	250

表2 SEUCS236T5V4UA电气特性表

应用示例      

下图是湖南静芯推出两种SEUCS236T5V4UA相关的DP2.0应用方案。DP2.0协议最大支持16K的超强分辨率和80Gbps的原始带宽。DP接口的八个引脚组成四个数据传输通道，这种四通道配置以每通道20Gbps的速度传输数据，在使用四个通道时速度可达80Gbps。

由于接口在传输大量内容时数据线需要经常插拔，在热插拔的过程中有可能因为消费者的触摸或金属引脚短接引发静电放电（ESD）等问题，因此选择电容低至0.14pF的分立式深回扫型ESD器件SEUCS2X3V1B或电容低至0.18pF的集成式深回扫型ESD器件SEUCS10F3V4B对数据传输引脚进行保护。

附属通道的差分信号引脚（AUC_CH(n/p)）、热插拔检测引脚（Hot Plug）、接头电源引脚（DP_PWR）、电源回路引脚（DP_PWR Return）和地引脚（GND）可以采用本文介绍的超低电容深回扫型4路单向带超强VCC保护的ESD静电保护器件SEUCS236T5V4UA进行防护，可同时保护4条信号线和1条电源线。

方案一：

图3 DP2.0应用方案一

方案二：

图4 DP2.0应用方案二

总结与结论

SEUCS236T5V4UA是湖南静芯研发的4路单向深回扫型超强VCC防护静电保护器件，拥有低电容低钳位电压的优异性能，可适用于多种带VCC引脚的主流数据接口的信号线防护。

湖南静芯深回扫型系列ESD器件工作电压涵盖1.0~38V，电流涵盖4~30A，电容最低至0.1pF，封装涵盖CSP、FC及各类封装形式。同时推出22V&33V TDS平缓浪涌抑制器，可用于保护工作电压为20V、24V、28V、36V的系统，具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能及稳定的温度特性，可为系统提供更全面保护。结合TDS器件与深回扫ESD优势，湖南静芯是国内首家推出USB4.0完整解决方案的公司，详情可以参考：“湖南静芯推出USB4.0&PD3.0的ESD&EOS防护完整解决方案100W+80G/120G”与“湖南静芯推出USB4.0&PD3.1的ESD&EOS防护完整解决方案140W&180W+80G/120G”等文章。

审核编辑 黄宇