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GAN039-650NBB氮化镓(GaN)FET规格书

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:521.26KB | 2025-02-13

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GAN039-650NBB 是一款采用CCPAK1212封装的 650 V、33 mΩ 氮化镓 （GaN） FET。它 是一款常关器件，结合了Nexperia最新的高压GaN HEMT H2技术 以及低压硅MOSFET技术，提供卓越的可靠性和性能。 2. 特点和优势 • 简化了驱动器设计，因为可以使用标准电平的MOSFET栅极驱动器： 0 V 至 12 V 驱动电压 • • 栅极阈值电压 VGSth 为 4 V • 坚固的栅极氧化物，VGS 额定值为 ±20 V • 4 V 的高栅极阈值电压，具有抗栅极反弹能力 • • • CCPAK封装技术： 低体二极管 Vf，可降低损耗并简化死区时间调整 瞬态过压能力，提高鲁棒性 提高可靠性，降低 Rth（j-mb） 以实现最佳冷却 更低的电感，可降低开关损耗和 EMI 150 °C 最高结温 • • • • 威廉希尔官方网站 板级高可靠性，可吸收热循环过程中的机械应力，与 传统 QFN 封装 • 目视（AOI）焊接检测，无需昂贵的X射线设备 • 易于润焊，可实现良好的机械焊点 3. 应用 • 用于工业和数据通信电源的硬开关和软开关转换器 • 无桥颞骨 PFC • 光伏和UPS逆变器 • 伺服电机驱动 4. 快速参考数据 
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