上接《浅谈12吋晶圆集成威廉希尔官方网站 芯片制程(工艺与工序)前端FEOL第一部分》
4 )浅源漏(汲)极前端延伸区(LDD)。
4.1 栅极宽度不断缩小,沟道长度不断减小,增加了漏源间电荷穿通的几率。沟道中电场强度增大,电子(空穴)在强电场中获得高能量注入并陷落到栅氧化层介质中,引发出器件可靠性问题。采用LDD结构性能得到改进。见图14.及附注。 LDD结构也减少了短沟道效应。
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