单片机延时驱动继电器威廉希尔官方网站

100uF/50V 的电容，容量较小，耐压指标较高。
而 470uF/16V 的电容，容量较大，耐压指标又低了许多。
所以，在同样的工作条件下，后者的漏电流相对较大，分流较大，致使充电电压不能达到开通MOS管的水平，继电器不动作。

解决办法：
1. 选择质量好一些的、漏电流小的电容。
2. 适当提高耐压值，漏电流会小一些。
3. 为了获得长延时，不要一味地加大电容容量。容量大，漏电流也大。
4. 适当减小电阻R6，也能起到增大延时的作用。

顺便在楼主问题之外啰嗦两句：
１　3.3V的电源，电压本来就低，又有二极管D1的正向压降损耗，是个不恰当的设计。
２　缺少为电容放电的机制，每次延时长短必定各不相同。所以，注定这个设计是不能满足使用要求的，是个失败的设计。

仅供参考。

应该是Q2控制极电压低，把3.3v电压提高试试

三楼坛友的意见是真理啊

我能说焊错了吗，和漏电没有关系

这是单片机输出控制啊

好的  我会参考您的建议改进

楼主，你改进了吗？问题改善了没有？

来看看

单片机io口直接控制Q2的G极不就得了。

这里是要通过电容c1充放电达到延时的目的

没有啊   能力有限  有什么建议没

R6和C1不是形成房地那回路了吗

我在上面所说的【缺少为电容放电的机制，每次延时长短必定各不相同。】，意指每次对C1充电以获得延时之前，必须保证C1是没有被充过电的（即不带电），这样才能应付随时到来的延时需要，保证延时时间的一致性。
你不想想，仅通过R6为C1放电，需要多长时间吗？