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defu_yin1512

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MOS管击穿后有一段电流接近饱和,这个怎么解释?

`MOS管击穿后有一段电流接近饱和,这个怎么解释?

(对数坐标)

` 2018-05-08 08-35-14屏幕截图.png

回帖(2)

jf_36690881

2024-6-19 22:25:17
这个图为什么会没有横纵的原点和坐标单位呢?是栅极与源极之间的AC曲线吧?如果是的就容易解释了。此产品击穿在栅极与漏极之间,而栅极与源极之间还是正常的。这个曲线分为三段,一是第三象限的部分,电流从S极流向D,二极管正向导通,再从D经过漏电区流到G,所以是二极管的正向导通曲线。第二段是第一象限的VGSTH曲线段,因为DG间有漏电,所以G随D的电位升高,当VD低于开启电压时,沟道还未打开,DS之间没有电流,当达到VGSTH电压以后,ID迅速上升,因为只在GS之间加电,但是GS之间没有直接相通的漏电通道!(从开启电压之前的水平段电流低可知),所以D上的电流是从G上经DG间的漏电点流到D再从开启的沟道中流到S的。所以这个电流的大小要受到漏电电阻的制约,不能无限增长,当沟道电阻大于漏电电阻后,其斜率就表现为漏电电阻曲线了,这个曲线就是开启曲线向右边拐弯的第三段了。
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让一个苹果整蒙了T_T

2024-6-22 17:05:35
蹲一个蹲一个蹲一个蹲一个蹲一个
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