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王茜

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[问答]

请问MOS管关断感性负载的保护机制的原理是什么?

看到一芯片的内部结构有图中红色框中的威廉希尔官方网站 部分,提到在外接感性负载时,会产生反电动势,而内部的Z1和D1可以起到保护作用,那保护的原理是什么

回帖(9)

李秀云

2019-9-10 07:37:18
似乎应该是PMOS....

这个应该是用来限制Ugs。
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王鑫

2019-9-10 07:51:13
Q1才是保护感性负载的
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毛萃

2019-9-10 08:00:16
D1和Z1是限制Ugs防止Ugs过大,Q1用于泄放感性负载关断瞬间产生的大电流从而保护MOS管的
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h1654155275.5994

2019-9-10 08:12:26
因为是NNOS,如果S极感应出负高压,而G极又被D1、Z1钳住,所以UGS>0,然后NMOS导通。
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李梁

2019-9-10 08:20:49
qq609048002 完全就没看 5楼 的管型瞎扯蛋了。
9楼 说到点子上了。当由于感性负载使NMOS管的源极(S)出现负压,且大于Zds所钳制的电压,即源极电压小于(Vs-Vzds)时,Vzd导通,进而使NMOS管导通,给感性负载提供续流回路,以保护芯片的端口。
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