本帖最后由 aylboy0001 于 2020-1-9 22:34 编辑
简单回复一下个人观点：
1、运放的输入阻抗是会受到外部电阻的影响的，并且同向输入一般会提高输入阻抗，反向输入一般会降低输入阻抗，根据需求选择。输入阻抗=输入电压/输入电流，可对于反相端可以看成是2个100KΩ并联然后 串联 2个100KΩ并联，就是100KΩ，同相就是直接电流通过100KΩ串联100KΩ到地，自然就是200KΩ
2、求和点就是R6上端和R7下端的电压了，根据虚短来看就是输入电压了，这个可以用一个可调电阻RG替换调节增益，没毛病啊
3、这个确实是工艺问题，因为FET的结构属于电压控制，基本来说是靠电容效应自然具备高阻抗，普通三极管流控型阻抗有限，这个没必要过渡纠结，自然阻抗越高外部一个小的失调电流或者共模电流都会引起电压变化
4、这个就是一个伯德图，2倍频的意思就是频率变化2倍如100K和200K，10倍频自然就是10倍了，这个就是一阶威廉希尔官方网站
的衰减特性了，对应于运放的内部的一阶RC特性
5这个问题合并到第2个问题看了，共模信号就是指输入端直接对地的信号，一般具有同相同压的特性，分析威廉希尔官方网站
可以看到前级差分放大器并没放大该信号，后面差分转单端运放增益是1，自然对应的就没有额外放大
本帖最后由 aylboy0001 于 2020-1-9 22:34 编辑
简单回复一下个人观点：
1、运放的输入阻抗是会受到外部电阻的影响的，并且同向输入一般会提高输入阻抗，反向输入一般会降低输入阻抗，根据需求选择。输入阻抗=输入电压/输入电流，可对于反相端可以看成是2个100KΩ并联然后 串联 2个100KΩ并联，就是100KΩ，同相就是直接电流通过100KΩ串联100KΩ到地，自然就是200KΩ
2、求和点就是R6上端和R7下端的电压了，根据虚短来看就是输入电压了，这个可以用一个可调电阻RG替换调节增益，没毛病啊
3、这个确实是工艺问题，因为FET的结构属于电压控制，基本来说是靠电容效应自然具备高阻抗，普通三极管流控型阻抗有限，这个没必要过渡纠结，自然阻抗越高外部一个小的失调电流或者共模电流都会引起电压变化
4、这个就是一个伯德图，2倍频的意思就是频率变化2倍如100K和200K，10倍频自然就是10倍了，这个就是一阶威廉希尔官方网站
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5这个问题合并到第2个问题看了，共模信号就是指输入端直接对地的信号，一般具有同相同压的特性，分析威廉希尔官方网站
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张程明:
1.可对于反相端可以看成是2个100KΩ并联然后 串联 2个100KΩ并联，就是100KΩ------这个不好看，有没有方法？或者告诉下思路
3.阻抗高，共模抑制能力就差了，这个有没有表达式，更直观
4.这个是对不同信号频率的衰减程度？-20DB和-6DB是怎么来的呢
5.差分为何只会放大差分信号而不会放大共模信号呢
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