G0B1CET6擦除bank1的flash会跑飞，为什么？

G0B1CET6是一款基于ARM Cortex-M4F内核的微控制器，具有双Bank Flash存储器。在您的描述中，当擦除Bank1的Flash时，程序在单步运行时没有问题，但在全速运行时会出现卡死现象。这可能是由于以下几个原因导致的：

1. Flash擦除过程中的干扰：在全速运行时，擦除Flash可能会受到其他操作的干扰，导致擦除不完整或错误。这可能是由于硬件设计、电源稳定性或电磁干扰等原因造成的。

2. Flash擦除后的校验问题：在擦除Flash后，需要对擦除后的区域进行校验，以确保擦除操作成功。如果校验失败，可能会导致程序运行异常。

3. 程序逻辑问题：在全速运行时，程序可能在执行擦除操作时，同时执行其他关键任务，导致程序运行异常。这可能是由于程序逻辑设计不当或资源分配不合理造成的。

为了定位问题，您可以尝试以下方法：

1. 增加日志输出：在程序中增加日志输出，记录关键操作的状态和时间戳，以便分析问题发生的原因。

2. 使用调试器：使用调试器逐步跟踪程序执行过程，观察在擦除Flash时程序的状态和行为，以便找到问题所在。

3. 检查硬件设计：检查硬件设计是否合理，包括电源稳定性、电磁干扰等因素，以确保硬件环境对程序运行没有负面影响。

4. 优化程序逻辑：检查程序逻辑，确保在擦除Flash时，程序不会同时执行其他关键任务，以避免程序运行异常。

5. 校验Flash擦除结果：在擦除Flash后，增加校验操作，确保擦除操作成功，避免程序运行异常。

6. 尝试使用其他Flash擦除方法：如果可能，尝试使用其他Flash擦除方法，以排除当前方法可能导致的问题。

通过以上方法，您应该能够定位问题并找到解决方案。希望这些建议对您有所帮助。