电磁兼容(EMC)设计与整改
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传导抗干扰测试失败问题
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这个产品是用阻容降压后经过串联稳压给
芯片
供电,现在做传导抗干扰的时候,芯片会有误动作,发生在30M~60M之间。有没有什么好的改善方法。L4,L5用的是2K欧的磁珠。共模电感,安规电容这两个是用不了了,太占地方,已经放不下了。
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(4)
xyq11nan221
2016-5-27 23:22:49
先测试下给芯片供电的电压波形
先测试下给芯片供电的电压波形
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陈鑫
2016-6-2 15:13:45
这个产品是用阻容降压后经过串联稳压给芯片供电,现在做传导抗干扰的时候,芯片会有误动作,发生在30M~60M之间。有没有什么好的改善方法。L4,L5用的是2K欧的磁珠。共模电感,安规电容这两个是用不了了,太占地方,已经放不下
这个产品是用阻容降压后经过串联稳压给芯片供电,现在做传导抗干扰的时候,芯片会有误动作,发生在30M~60M之间。有没有什么好的改善方法。L4,L5用的是2K欧的磁珠。共模电感,安规电容这两个是用不了了,太占地方,已经放不下
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刘玉梅
2017-2-13 17:52:56
本帖最后由 liuyumei4416 于 2018-4-5 21:09 编辑
如果在测试时需要用到电子元器件样品时,我可以免费提供,电话欧S18902462786
本帖最后由 liuyumei4416 于 2018-4-5 21:09 编辑
如果在测试时需要用到电子元器件样品时,我可以免费提供,电话欧S18902462786
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李龙
2017-3-16 08:49:49
好像没有太大的功能
好像没有太大的功能
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