### 产品简介
BSC030N03LS G-VB 是一款采用 DFN8 (5x6) 封装的单通道 N 沟道 MOSFET，设计用于低电压、高电流应用。该 MOSFET 的漏极-源极耐压为 30V，栅极-源极耐压为 ±20V，栅极阈值电压为 1.7V。它在 4.5V 的栅极驱动电压下具有 9mΩ 的导通电阻，在 10V 的栅极驱动电压下为 7mΩ。最大漏极电流可达 80A，采用先进的 Trench 技术制造，适用于高效率的电源管理和电流开关应用。
### 参数说明
- **型号**: BSC030N03LS G-VB
- **封装**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 单通道 N 沟道 MOSFET
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 30V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 7mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 80A
- **技术**: Trench 技术
### 应用领域
BSC030N03LS G-VB 适用于以下领域和模块：
- **电源管理**: 在高功率 DC-DC 转换器中提供高效的电流传输和开关控制。
- **计算机和服务器**: 用于电源模块中，优化电源分配，适应高负载需求。
- **电动汽车**: 作为动力系统中的开关元件，处理电池和电机之间的功率流动。
- **工业设备**: 在高电流应用中提供可靠的开关功能，支持设备稳定运行。