### 产品简介
BSH111-VB 是一款 N-Channel MOSFET，封装为 SOT23-3。它设计用于中等电压和电流应用，具有较高的门槛电压和适中的导通电阻，适合用于各种小型开关威廉希尔官方网站 和低功率应用。
### 详细参数说明
- **型号**: BSH111-VB
- **封装**: SOT23-3
- **类型**: 单 N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **门槛电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100 mΩ @ VGS = 4.5V
- 2800 mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏电流 (ID)**: 0.3A
- **技术**: 沟槽型
### 适用领域和模块
BSH111-VB 适用于：
1. **小型开关威廉希尔官方网站
**：其适中的电流和电压规格使其适合用于低功率开关应用，如信号开关。
2. **消费电子设备**：适合用于各种消费电子产品中的低电流开关和控制威廉希尔官方网站
。
3. **低功率电源管理**：用于小型电源管理模块和低功率电源开关，确保稳定的开关性能。