### 产品简介
BSL307SP-VB 是一款单通道 P 沟道 MOSFET，封装为 SOT23-6，专为低电压、高电流应用设计。它具有 -30V 的漏极-源极耐压、±20V 的栅极-源极耐压和 -1.7V 的栅极阈值电压。该 MOSFET 在 4.5V 的栅极驱动电压下，导通电阻为 54mΩ，在 10V 的栅极驱动电压下为 49mΩ。最大漏极电流可达 -4.8A，采用 Trench 技术，提供优异的开关性能和低导通电阻。
### 参数说明
- **型号**: BSL307SP-VB
- **封装**: SOT23-6
- **配置**: 单通道 P 沟道 MOSFET
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: -30V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 54mΩ @ VGS = 4.5V
- 49mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: -4.8A
- **技术**: Trench 技术
### 应用领域
BSL307SP-VB 适用于以下领域和模块：
- **电源管理**: 在低电压电源模块中作为开关元件，控制电源的开关和负载切换。
- **负载开关**: 用于便携式电子设备和消费类产品中的负载开关，处理高电流负载。
- **电池保护**: 在电池管理系统中用作电源切换开关，保护电池并提高能效。
- **通信设备**: 在通信设备中提供高效的开关控制，确保设备的稳定运行。