**产品简介：**
BSH112-VB 是一款 N-Channel MOSFET，封装为 SOT23-3，适用于中等电压的小型开关应用。该 MOSFET 的 VDS（漏极-源极最大电压）为 60V，最大栅源极电压 VGS 为 ±20V，漏极电流 ID 达到 0.3A。其导通电阻 RDS(ON) 为 3100mΩ（在 VGS=4.5V 时）和 2800mΩ（在 VGS=10V 时），采用沟槽型工艺技术，适合用于需要中等电流和高耐压的小型开关威廉希尔官方网站
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**详细参数说明：**
- **封装**: SOT23-3
- **类型**: 单极性 N-Channel MOSFET
- **漏源极电压（VDS）**: 60V
- **栅源极电压（VGS）**: ±20V
- **阈值电压（Vth）**: 1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**: 3100mΩ @ VGS = 4.5V；2800mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）**: 0.3A
- **技术**: 沟槽型工艺
**应用领域和模块示例：**
1. **小型电源开关**：在小型电源管理和开关威廉希尔官方网站
中，BSH112-VB 的中等导通电阻和较高的 VDS 使其适用于低功耗开关应用，如小型电源开关和保护威廉希尔官方网站
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2. **低功耗电子设备**：用于低功耗电子设备和便携式设备中，BSH112-VB 能够提供足够的电流处理能力，适合用于需要空间有限的设计。
3. **信号开关**：在信号开关和模拟威廉希尔官方网站
中，该 MOSFET 可用作开关控制，支持中等电压和电流的应用，适合用于小型、低功耗的威廉希尔官方网站
设计。