### 产品简介
**BSH121-VB** 是一款单极性N沟道功率MOSFET，封装为SOT23-3。该MOSFET具有60V的漏源电压（VDS），并支持最大±20V的栅极源电压（VGS）。其阈值电压（Vth）为1.7V，导通电阻为3100mΩ（VGS=4.5V）和2800mΩ（VGS=10V），最大漏电流为0.3A。MOSFET采用沟槽技术，适合用于低电压和小电流的开关应用。
### 详细参数说明
- **型号**: BSH121-VB
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单极性N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅极源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS = 4.5V
- 2800mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**: 0.3A
- **技术**: 沟槽技术
### 适用领域和模块
**BSH121-VB** 功率MOSFET 适用于以下领域和模块：
1. **低功耗开关威廉希尔官方网站 **：在低电压和低电流的开关应用中作为开关元件，适合电子设备的小型电源管理和开关控制。
2. **电池供电设备**：用于移动设备和小型电池供电设备中，进行电流控制和电源管理，确保设备的高效能量利用。
3. **小型电机驱动**：在小功率电机驱动系统中，用于小电流负载的开关控制，适合小型电机和微型驱动应用。
4. **消费电子产品**：在消费电子产品中如便携式设备和威廉希尔官方网站 保护模块中使用，处理低电流的开关需求，优化电源效率和设备性能。