6MBI75VA-060-50
技术参数：
• Ic(A),Tc=80℃ 75
• Vce(sat),Max(V) 1.6
• Ton(us) 1.2
• Toff(us) 1.2
• Rth(j-c),K/W -
• Pc(W) 300
• 封装 M636
• 威廉希尔官方网站 结构 三相桥
性能概要：
•紧凑的封装
•P.C板装
•低Vce(sat)
目标应用：
• 变频电机驱动
• AC和DC伺服驱动放大器
• 不间断电源
• 工业机器，如电焊机
富士IGBT模块
型号:
6MBI75VA-060-50