三星电子推出首款36GB HBM3E 12H DRAM

三星电子薪资谈判困局，罢工危机隐现

三星首款智能戒指Galaxy Ring亮相

三星电子3nm工艺良率低迷，始终在50%左右徘徊

三星电子泰勒工厂投建斥资47亿美元，影响整体规划

三星Galaxy AI助力终端设备普及，消费电子产业链获益

龙旗科技成为龙年沪市第一股，正式登陆上交所主板

三星电子推出的Galaxy Book 4在韩国销量突破10万台

龙旗科技上市最新消息

三星Galaxy S24系列韩国销量破百万，创最短销售记录

三星电子成功完成背面供电网络芯片测试，或将提早应用于未来制程

三星推出SD Express microSD存储卡，最高顺序读取速度达800MB/s

扎克伯格时隔10年再次访韩，探讨XR头显和AI领域合作

美光新款高频宽记忆体HBM3E将被用于英伟达H200

三星首次公开展示智能戒指Galaxy Ring

三星发布首款12层堆叠HBM3E DRAM

三星电子成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM—HBM3E 12H

三星发布首款12层堆叠HBM3E DRAM，带宽高达1280GB/s，容量达36G

AI-RAN联盟成立，11科技巨头推动人工智能与无线通信技术融合

美国商务部拟公告《芯片法案》补贴英特尔等公司