BBCube3D以混合3D方法实现异构集成

单芯片超过 100Gb，三星表示将挑战业界最高密度 DRAM 芯片

第四季度DRAM和NAND全面涨价，成本上涨约30%

芯片库存调整，接近尾声

内存、闪存全面涨价！1TB、12/16GB大内存手机且买且珍惜

韩国NAND闪存芯片出口额恢复增长

季涨约3~8%，DRAM合约价大幅回升！

美光利用1β工艺技术提供高速7,200 MT/s DDR5内存

从单片SoC向异构芯片和小芯片封装的转变正在加速

三星利润，预计下滑80%

面向电信和边缘应用的新一代EPYC处理器Siena

NAND Flash四季度涨幅预计10%以上

先进封装，在此一举

美国同意三星向其中国工厂提供设备

HBM3E明年商业出货,兼具高速和低成本优点

DRAM ，终于迎来了春天

同时取代闪存和DRAM，ULTRARAM真有这个潜力吗？

三星将削减NAND和DRAM平泽P3晶圆厂投资

为什么GPU获得了如此多的缓存？

全球半导体存储芯片正在全面上涨