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MDD
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MDD是国内少数采用了“Fabless+封装测试”模式的半导体品牌,15年的行业深耕,一直专注于半导体领域。在科技研发与创新的基础上,积累了厚实的研发设计能力,同时还建立全流程的封装测试产线(涵盖封装测试、成品测试等多项)。为客户提供MOSFET、SiC、功率二极管及整流桥等高品质的半导体分立器件
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器件名:
MDD15N10D
产品描述:
类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):15A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V;
生产厂商:
MDD
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器件名:
DFR1J F1J
产品描述:
二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.3V@1A;反向恢复时间(trr):250ns;
生产厂商:
MDD
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替代料
价格
器件名:
DSR0.3K S03K
产品描述:
二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):800V;平均整流电流(Io):300mA;正向压降(Vf):1.1V@300mA;
生产厂商:
MDD
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器件名:
SOD1H8 U8
产品描述:
二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.7V@1A;反向恢复时间(trr):75ns;
生产厂商:
MDD
规格书
替代料
价格
器件名:
BZT52C7V5-WC
产品描述:
二极管配置:独立式;稳压值(标称值):7.5V;稳压值(范围):7V~7.9V;精度:-;功率:500mW;
生产厂商:
MDD
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器件名:
BZT52C4V3-W6
产品描述:
二极管配置:独立式;稳压值(标称值):4.3V;稳压值(范围):4V~4.6V;精度:-;功率:500mW;
生产厂商:
MDD
规格书
替代料
价格
器件名:
BZT52C9V1-WE
产品描述:
二极管配置:独立式;稳压值(标称值):9.1V;稳压值(范围):8.5V~9.6V;精度:-;功率:500mW;
生产厂商:
MDD
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器件名:
MM1W91
产品描述:
二极管配置:独立式;稳压值(标称值):91V;稳压值(范围):86V~96V;精度:±5%;功率:1W;
生产厂商:
MDD
规格书
替代料
价格
器件名:
ESD5Z7V0
产品描述:
TVS DIODE 7VWM 13.5VC SOD523
生产厂商:
MDD
规格书
替代料
价格
器件名:
1N4148W T4
产品描述:
SWITCHING SOD-123, 100V
生产厂商:
MDD
规格书
替代料
价格
器件名:
ES2GB
产品描述:
DIODE GEN PURP 400V 2A SMB
生产厂商:
MDD
规格书
替代料
价格
器件名:
1N4007G L
产品描述:
GENERAL DIODE 1KV 1A DO-41
生产厂商:
MDD
规格书
替代料
价格
器件名:
ESD0301BL
产品描述:
夹子 1A(8/20µs) Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DFN1006
生产厂商:
MDD
规格书
替代料
价格
器件名:
6A10-T/B
产品描述:
General e Diode R6 1KV 6A
生产厂商:
MDD
规格书
替代料
价格
器件名:
AO3402
产品描述:
生产厂商:
MDD
规格书
替代料
价格
器件名:
SM8S33CA
产品描述:
ESD抑制器/TVS二极管 VRWM=33V VBR(Min)=36.7V VC=53.3V@IPP=124A
生产厂商:
MDD
规格书
替代料
价格
器件名:
BZT52C2V2-WZ
产品描述:
稳压二极管 Vz=2.2V 2.08V~2.33V Izt=5mA P=500mW SOD123
生产厂商:
MDD
规格书
替代料
价格
器件名:
BZT52C7V5S-WC
产品描述:
稳压二极管 Vz=7.5V 7V~7.9V Izt=5mA P=200mW SOD323
生产厂商:
MDD
规格书
替代料
价格
器件名:
BC848C
产品描述:
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 30 V 100 mA 100MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-23
生产厂商:
MDD
规格书
替代料
价格
器件名:
SMBJ12CA-T3
产品描述:
ESD抑制器/TVS二极管 SMB 双向 VRWM=12V IPP=30.2A
生产厂商:
MDD
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