N沟道 P沟道 MOS管什么电平导通啊跟增强型的 一样吗 初学者！感谢大家！
2013-03-25 10:16:45
我在网上一些帖子上面看到，MOS管导通后如果工作在现行放大区的话就有可能烧坏管子，这是因为线性区的ID电流较大，同时RDS也较大，功耗较高所致。但我看了 一下MOS的应用手册，上面提到的导通后RDS都是mΩ级别的，这个也算是电阻大嘛？这不是与上面的介绍想矛盾吗？另外，MOS的功耗究竟应该怎么计算呢？
2018-10-25 11:14:39
MOS体内寄生二极管在承载正向电流后因反向压致使的反向恢复造成的损耗。 体内寄生二极管反向恢复损耗计算 这一损耗原理及计算方法与普通二极管的反向恢复损耗一样。公式如下： Pd_recover
2020-06-28 17:48:13
MOS管的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上，PFCMOS管的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索，那么该如何量化评估呢
2018-11-09 11:43:12
急剧提升。在高频开关中，MOS管的损耗分为导通损耗和开关损耗两种，导通损耗也就是通常所说的DS两极导通后的欧姆热损耗，然而在特别高的高频下，导通损耗是次要的，开关损耗上升为主要矛盾，所谓开关损耗就是从
2018-11-20 16:00:00
-请问各位专家，我是个电源新手，刚开始接触MOS管。现在又些问题，开关损耗主要是导通和关断这两个过程，其它损耗可忽略吗？
2019-06-27 09:10:01
，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。 选好额定电流后，还必须计算导通损耗
2020-07-10 14:54:36
请问大神，MOS管的导通工耗是等于，通过他的电流乘管子的压降吗？
2016-04-22 13:35:00
PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有
2012-11-12 15:40:55
高端驱动中，通常还是使用NMOS。3，MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小
2012-12-18 15:37:14
通期间损耗，小的Rth值可减小温度差（同样耗散功率条件下），故有利于散热。五、损耗功率初算 MOS管损耗计算主要包含如下8个部分： PD
2019-12-10 17:51:58
本帖最后由 小小的大太阳 于 2017-5-31 10:06 编辑
MOS管的导通损耗影响最大的就是Rds，而开关损耗好像不仅仅和开关的频率有关，与MOS管的结电容，输入电容，输出电容都有关系吧？具体的关系是什么？有没有具体计算开关损耗的公式？
2017-05-31 10:04:51
张飞电子第四部，MOS管不像三极管的BE有固定压降，所以不知道怎么计算。运放那边输出开路时，MOS管导通，具体是怎么工作的。1、刚开始，三极管基极电流怎么算，可以用15/(7.5K+2K)估计
2021-04-27 12:03:09
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:28 编辑
四个MOS管这么排列，Q3Q4是打开，Q1Q2是关闭， 电源是12V为啥AB两点的电压也有11多V，MOS是如何导通的呢，体二极管也是对立的。
2018-05-31 19:41:07
如图片所示，为什么MOS管的开关损耗（开通和关断过程中）的损耗是这样算的，那个72pF应该是MOS的输入电容，2.5A是开关电源限制的平均电流
2018-10-11 10:21:49
都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。MOS在导通和截止
2019-07-03 07:00:00
MOS的参数选择以及导通速度的计算
根据MOS的Td（on）+Td（off）推算出MOS的导通速度，这个方法对不对？
有没有相近的NMOS推荐！VDS≥60V，ID≥15A，导通内阻≤20m
2023-06-03 09:35:35
电源工程师知道，整个电源系统中开关MOS的损耗比不小. 讨论最多的是导通损耗和关断损耗，因为这两种损耗与传导损耗或驱动损耗不同，因为它很直观，所以有些人对其计算仍然有些困惑.今天，我们将详细分析
2021-10-29 08:43:49
时，MOS管的损耗是不容忽视的一部分。下面将详细计算MOS管的损耗。2. MOS管的损耗来源2.1 MOS开关损耗MOS在开关电源中用作开关器件，顾名思义，MOS会经常的开通和关断。由于电压和电流都是
2021-07-29 06:01:56
在BUCK型开关电源中，如果没有损耗，那效率就是100%，但这是不可能的，BUCK型开关电源中主要的损耗是导通损耗和交流开关损耗，导通损耗主要是指MOS管导通后的损耗和肖特基二极管导通的损耗（是指完
2021-10-29 08:08:29
I2C时钟设置计算方法I²C时钟设置计算方法
2023-10-20 08:17:10
IGBT作为电力电子领域的核心元件之一，其结温Tj高低，不仅影响IGBT选型与设计，还会影响IGBT可靠性和寿命。因此，如何计算IGBT的结温Tj，已成为大家普遍关注的焦点。由最基本的计算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知，损耗Ploss和热阻Rth(j-a)是Tj计算的关键。
2019-08-13 08:04:18
、 IGBT的关断损耗计算 同理设开关频率为Fsw情况下，那么直接计算损耗为： 9、二极管的导通损耗 该部分损耗和IGBT导通损耗计算方法一致，只不过将占空比设置成1-Don即可。在此不做重复
2023-02-24 16:47:34
请问LED灯的阻抗计算方法是什么？
2020-03-06 14:43:47
或者是通过TI官网UC3842手册上的方法学习Rstart的计算方法。
2021-10-29 07:04:40
STM32三种定时器有何区别？STM32定时器时钟的计算方法是什么？
2021-11-23 07:04:09
soc计算方法，BMS中的SOC的计算其实可以分为三大部分：1、电芯层级的SOC计算（软件中最真实的SOC计算，不涉及任何滤波处理）；2、模组或者电池包层级的SOC计算（电芯到电池包级别的SOC映射
2021-07-27 06:13:05
承载正向电流后因反向压致使的反向恢复造成的损耗。体内寄生二极管反向恢复损耗计算这一损耗原理及计算方法与普通二极管的反向恢复损耗一样。公式如下：Pd_recover=VDR × Qrr × fs其中
2019-09-02 08:30:00
阻小的MOS管40N120会降低导通损耗。 MOS在开启和关闭时，一定不是瞬间完成。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程。在此期间，MOS管的损失是电压和电流的乘积，称为开关损失
2021-12-29 16:53:46
计算导通损耗。在实际情况下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在"导通"时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度
2013-10-29 17:27:29
/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，设计人员必须计算开通过程中的损耗
2018-10-19 10:10:44
像2301那种mos导通后，VDS电压是0吗？也就是没有损耗?仿真是没有损耗的
2020-04-16 15:44:28
什么是晶体管？目录晶体管・由来概略晶体管数字晶体管的原理MOSFET特性导通电阻安全使用晶体管的选定方法元件温度计算方法负载开关常见问题
2019-04-10 21:55:53
通过程的损耗能量Pon表示导通过程的平均损耗功率（有功功率）Vds、Id分别表示瞬时电压和电流Ts表示开关周期t0、t1表示导通过程的开始时间与结束时间关闭过程损耗关闭过程损耗与导通过程损耗计算方法
2021-11-18 07:00:00
MOS管或对之进行等级划分。 栅极电荷和导通阻抗之所以重要，是因为二者都对电源的效率有直接的影响。对效率有影响的损耗主要分为两种形式--传导损耗和开关损耗。`
2018-12-17 14:16:21
功率开关管功耗计算方法
2019-04-12 12:27:35
器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，要计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。
2018-11-08 14:13:40
听说多级阻抗PCB有独特的计算方法？一起来看看吧
2023-04-14 15:50:20
被降低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，要计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。 了解了MOS管的选取法则，那么工程师们选择的时候就可以通过这些法则去选取所要的MOS管了，从而让整个威廉希尔官方网站
工作能顺利进行下去。不会因为MOS管的不合适而影响后面的各项工作和事宜。
2016-01-26 10:30:10
基于场路耦合的电机性能快速计算方法的实现
2021-01-26 06:14:06
本文以Intersil 公司专用于DSSS无线设计的PRISM芯片组为例，说明处理增益的计算方法，适合于从事RF收发器应用的中国设计工程师阅读。
2021-06-01 06:29:47
这个mos管是如何导通，控制电源开断
2019-07-02 23:34:55
如何计算MOS管的损耗？
2021-11-01 08:02:22
开关MOS的损耗如何计算？
2021-03-02 08:36:47
所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的mos管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时，两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。4.计算导通损耗。在实际情况
2019-11-21 09:14:39
平衡车角度计算方法
2017-09-25 11:01:09
平衡车角度计算方法
2017-10-31 12:34:34
计算 这一损耗原理及计算方法与普通二极管的反向恢复损耗一样。公式如下： Pd_recover=VDR × Qrr × fs 其中：VDR 为二极管反向压降， Qrr 为二极管反向恢复电量，由器件提供之
2019-09-06 09:00:00
`<p> 揭秘高效电源如何选择合适的mos管 目前，影响开关电源电源效率的两个损耗因素是：导通损耗和开关损耗，以下分别对这两种损耗做具体分析。 导通损耗 导通损耗
2018-11-06 13:45:30
问下具体的计算方法是咋样的。有木有大佬来解释下！！！
2019-04-06 12:43:02
机器视觉计算方法
2015-08-14 09:23:59
` （1）不同耐压的MOS管的导通电阻分布。不同耐压的MOS管，其导通电阻中各部分电阻比例分布也不同。如耐压30V的MOS管，其外延层电阻仅为总导通电阻的29%，耐压600V的MOS管的外延层电阻
2018-11-01 15:01:12
电机转子运动惯量的计算方法哪些，如何避免转子惯性失配？
2021-02-02 07:25:12
电源损耗一般集中在以下一些方面：1.MOS管的开通损耗及导通损耗。2.变压器的铜损和铁损；3.副边整流管的损耗；4.桥式整流的损耗。5.采样电阻损耗；6.吸收威廉希尔官方网站
的损耗；7.其它损耗：PFC电感损耗
2018-09-18 09:13:29
值有利于减小导通期间损耗，小的Rth值可减小温度差（同样耗散功率条件下），故有利于散热。 五、损耗功率初算 MOS管损耗计算主要包含如下8个部分： PD
2019-02-21 12:02:20
比如一个电源，全桥架构，副边用的是桥式整流输出，输出电流为10A，假设二极管的管子压降为1.5V，那么副边的二极管通态损耗怎么样计算？可以这样了解吗：正半周期一组对角的二极管导通，此时功耗为1.5V*10*2=30W，同理负半周期也如此，则副边二极管损耗为60W。
2018-12-18 14:52:44
这个图上的R1怎么取值，怎么选这个三极管，以及计算方法 ，我很急，谢谢大家帮帮我把。万分感谢
2013-07-03 12:26:15
亲爱的大家，我使用的是PIC24FJ64GB004。在ADC部分，A/D转换时钟周期计算有一个注释“基于TCY=2*TOSC，打瞌睡模式和锁相环被禁用。”所以如果我使用的是PLL（32MHZ，FCy 16Mhz），那么ADCS的计算方法是什么？请参考附件图像。谢谢，Gaurav Patni。
2019-09-25 07:04:20
这个威廉希尔官方网站
，MOS管控制威廉希尔官方网站
的GND怎么接，才能使MOS管导通。
2019-04-23 20:20:48
请问伺服电机的选型计算方法是什么？
2021-09-28 08:45:32
大家帮忙看下这两个威廉希尔官方网站
图，我不太明白其MOS管是如何导通的？
2018-12-26 15:28:56
最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，要计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。`
2019-01-10 11:52:27
阻抗计算方法，希望有所帮助
2013-06-10 16:58:32
最大的两个损耗因素是：导通损耗和开关损耗，以下分别对这两种损耗做具体分析。 导通损耗 导通损耗具体来讲是由MOS管的导通阻抗Rds产生的，Rds与栅极驱动电压Vgs和流经MOS管的电流有关。如果想要
2016-12-23 19:06:35
pcb载流能力的计算方法
2008-03-06 15:56:22
63 电力变压器设计计算方法与实践把变压器电磁计算同电工基础理论紧密联系在一起，按电磁计算过程一一展开，清晰地分析了变压器的威廉希尔官方网站
、磁路、漏磁效应、阻抗、附加损耗、机
2008-11-11 11:21:390 线路电能损耗计算方法:线路电能损耗计算方法 A1 线路电能损耗计算的基本方法是均方根电流法，其代表日的损耗电量计算为： ΔA=3 Rt×10-3 (kW•h) (Al-1) Ijf = (A) (Al-2) 式
2010-01-27 11:53:4939 10KVA变压器损耗的计算方法来说负载曲线的平均负载系数越高，为达到损耗电能越小，要选用损耗比越小的变压器；负载曲线的平均负载系数越低，为达到损耗电能越小，要选用损耗比越
2011-06-15 17:48:14
60950 针对目前PWM 逆变器中广泛使用的IGBT，提出了一种快速损耗计算方法。该方法只需已知所使用的IGBT 器件在额定状态下的特性参数，就可以快速估算各种条件下的功率损耗。该方法的计算
2011-09-01 16:42:33111 甲类单端的简易计算方法甲类单端的简易计算方法甲类单端的简易计算方法
2016-01-19 15:37:380 特征阻抗的计算方法
2017-06-09 14:53:1227 电源工程师知道，整个电源系统中开关MOS的损耗比不小. 讨论最多的是导通损耗和关断损耗，因为这两种损耗与传导损耗或驱动损耗不同，因为它很直观，所以有些人对其计算仍然有些困惑.今天，我们将详细分析
2021-10-22 17:35:5953 反激电源磁芯计算方法汇总
2021-11-03 14:28:1048 电源工程师们都知道开关MOS在整个电源系统里面的损耗占比是不小的，我们谈及最多的就是开通损耗和关断损耗，由于这两个损耗不像导通损耗或驱动损耗一样那么直观，所以有部分人对于它计算还有些迷茫。
2022-02-10 10:35:2314 详解MOS驱动威廉希尔官方网站
功率损耗的构成以及计算方法
2022-04-13 08:35:0020804 
变频器制动电阻设计计算方法一(简单计算)
2023-01-03 14:36:493103 エンジニアコラム第20篇 EMC计算方法和EMC仿真（5）传导抗扰度（CI）的试行计算方法什么是ISO 11452-4标准HE法？大家好！我是ROHM的稻垣。
2023-02-14 09:26:261213 
エンジニアコラム第19篇 EMC计算方法和EMC仿真（4）传导抗扰度（CI）的试行计算方法什么是IEC 62132-4 DPI法？大家好！我是ROHM的稻垣。
2023-02-14 09:26:261567 
EMC计算方法概述2021/11/16大家好！我是ROHM的稻垣。本文是第16篇，从本文开始我们来谈一谈电磁兼容性（EMC）的计算方法和仿真。
2023-02-14 09:26:282228 上一篇文章介绍了电源IC整体损耗的计算方法，即求出各部分的损耗并将这些损耗相加的方法。本文将在“简单”的前提下，介绍一种利用现有数据求出电源IC损耗的方法。
2023-02-23 10:40:511440 
MOS管在电源应用中作为开关用时将会导致一些不可避免的损耗，这些损耗可以分为两类。
2023-03-26 16:18:555704 
MOS管噪声计算方法 噪声是威廉希尔官方网站
设计和性能评估中的一个关键问题，特别是在高频率和低功耗应用中。MOSFET是一种广泛应用于各种威廉希尔官方网站
的半导体器件。因此，正确计算MOS管噪声是非常重要的。本文将介绍
2023-09-19 16:49:581117 不同壳温下SOA曲线的计算方法
2023-12-04 17:54:04324 
EMC计算方法和EMC仿真（1） ——计算方法简介
2023-12-05 14:56:08384 
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