0.13μm非易失性FRAM产品的增强的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
： 1.2MHz⚫ 宽输入电压范围： 0.7V～ 5.0V⚫ 输入静态电流： 10uA⚫ 固定输出电压：3V，3.3V或者5V⚫ 输入开关电流：1.5A最大⚫ 另外产品PW5200A，是可调输出电压版本代理商：深圳市夸克微科技郑生： ***QQ ： 2867714804
2020-12-09 09:43:48
输出电流不会很高，但是要求是待机久把，PW5100升压3.3V芯片就具有低静态功耗，待机功耗低10uA左右。 PW5100 是一款高效率、10uA低功耗、低纹波、高工作频率1.2MHZ的 同步升压 DC
2020-12-09 09:45:06
1.5V升压3.3V，1.5V升压5V1.5V升压3.3V芯片，1.5V升压5V芯片：PW5100 是一款高效率、10uA低功耗、低纹波、高工作频率1.2MHZ的 PFM 同步升压DC/DC 变换器
2020-09-21 19:25:05
1.5V转3.3V的威廉希尔官方网站
图需要材料：PW5100芯片，2个贴片电容，1个贴片电感。即可组成一个DC-DC同步升压高效率威廉希尔官方网站
图，可提供稳定的3.3V输出电压.1.5V转3.3V的电源芯片1.5V转
2020-12-17 10:50:30
3.3V的电源芯片是DC-DC升压转换器芯片。PW5100 仅需要三个外围元件，就可将低输入电压升压到所需的工作电压。系统的工作频率高达 1.2MHz， 支持小型的外部电感器和输出电容器， 同时又能保持超低的静态电流，实现最高的效率。产品特点最大效率可达： 95％超低启动电压： 0..
2021-12-27 07:52:46
概述：MAX5128非易失、单路、线性变化数字电位器，能够实现机械电位器的功能，用简单的2线数字接口取代机械调节。MAX5128具有与分立电位器或可变电阻器相同的功能，提供128抽头、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
起因:
玩nas+软路由，m2+无线网卡+板载各种芯片(网卡)等对3.3v需求大，估算需求约20a，nas用的是flex电源，flex电源3.3v基本都只有10-15a，目前用的电源3.3v只有
2023-08-26 06:45:26
、软启动和过温保护，确保设备工作在正常情况下。 PW6206提供3V,3.3V，5V输出电压选择，静态电流4.2uA。在高压应用中，建议R、Cin选用如下：1，Cin=10μF~100μF电解电容器，最大电压大于50V，R=0；2，Cin=1μF~10μF MLCC，最大电压...
2021-12-28 07:06:58
` 1V供电的设备已经很少了。常见的是我们1.5V的干电池，放电最低电压也是在1V左右，还有就是镍氢可充电电池1.2V了，放电完也是1V左右。 1V升压3.3V和1V升到5V的应用中，如干电池1V
2020-11-13 22:12:14
到3.3V的威廉希尔官方网站
图：PW5100 仅需要三个外围元件，就可将低输入电压升压到所需的工作电压。系统的工作频率高达 1.2MHz。 1V升压3V和1V升压到3.3V的芯片功耗： 从芯片的输入电源和输入静态
2020-12-24 15:58:43
和1V升压到3.3V的芯片功耗： 从芯片的输入电源和输入静态电流的表格可以看到，1V时的静态功耗是20uA多，随着输入电压变大，静态功耗会变小。
2021-04-10 18:03:14
的威廉希尔官方网站
图：PW5100 仅需要三个外围元件，就可将低输入电压升压到所需的工作电压。系统的工作频率高达 1.2MHz。1V升压3V和1V升压到3.3V的芯片功耗：从芯片的输入电源和输入静态电流的表格可以看到，1V时的静态功耗是20uA多，随着输入电压变大，静态功耗会变小。
2021-04-07 17:36:29
1V转3.3V供电是简单的，仅需要一个芯片和三个外围元件即可组成这样的一个1V转3.3V的威廉希尔官方网站
图和升压威廉希尔官方网站
了。可以持续稳定地供电3.3V给模块或者MCU灯威廉希尔官方网站
。让后端工作稳定，同时也能控制威廉希尔官方网站
的功耗
2020-12-18 15:59:49
`描述This reference design generates an isolated 2W dual output (+3.3V & -3.3V) from AC
2015-03-12 10:29:05
、软启动和过温保护，确保设备工作在正常情况下。 PW6206提供3V,3.3V，5V输出电压选择，静态电流4.2uA。在高压应用中，建议R、Cin选用如下：1，Cin=10μF~100μF电解电容器，最大电压大于50V，R=0；2，Cin=1μF~10μF MLCC，最大电压...
2021-12-28 07:22:17
满足一般的485芯片对电源稳定性的要求。此款5v转3.3v的模块电源一般可以分为两种：非稳压输出和稳压输出。先说稳压输出，稳压输出指的是，模块电源的输入电压或者输出负载不管如何变化，输出电压都能稳定
2018-08-04 14:05:01
5V转3.3V的技巧
2020-12-23 06:04:01
，效率高，且输出纹波噪声都非常小，可以满足一般的485芯片对电源稳定性的要求。此款5v转3.3v的dc/dc转换器一般可以分为两种：非稳压输出和稳压输出。先说稳压输出，稳压输出指的是，dc/dc转换器
2018-07-26 13:59:50
`描述此 4W 参考设计产生 3.3V 和 12V 输出。3.3V 输出为稳压输出，而 12V 输出具有某种依赖于负载的变化因素。UCC28740 反激式控制器提供低成本但高效的解决方案。`
2015-04-10 15:37:15
描述 此 4W 参考设计产生 3.3V 和 12V 输出。3.3V 输出为稳压输出，而 12V 输出具有某种依赖于负载的变化因素。UCC28740 反激式控制器提供低成本但高效的解决方案。
2018-11-20 11:43:01
单片机是STC15L104W,MOS管是HUF75307D,用3.6V的3节充电电池接上后MOS管一直导通,不受单片机控制,灯珠是3.3V 3W的大功率灯珠
2019-09-18 03:45:09
保持新鲜一般说明DS1553是一个全功能、符合2000年（Y2KC）标准的实时时钟/日历（RTC），带有RTC警报、看门狗定时器、上电复位、电池监视器和8k x 8非易失性静态RAM。用户对DS
2020-09-17 17:24:23
、看门狗定时器、上电复位、电池监视器和128k x 8非易失性静态RAM。用户对DS1556中所有寄存器的访问是通过一个字节宽的接口完成的，如图1所示。RTC寄存器包含24小时BCD格式的世纪、年、月
2020-09-16 17:17:42
•在引导闪存之间选择 •设置ASIC配置/配置文件 •服务器 •网络存储 •路由器 •电信设备 •PC外围设备 一般说明 DS4520是一个9位非易失性（NV）I/O扩展器，具有64
2020-07-02 16:55:41
非易失可重复编程FPGA的应用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2020-12-10 07:20:20
宇芯电子本篇文章提供智能电表或智能电子式电表的概述，并且说明在智能电子式电表的设计中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的优势。图1显示的是智能电子式电表的简化框图。非易失性存储器是一个电表
2021-07-12 07:26:45
我们正在构建一个设备来测量消耗。威廉希尔官方网站
ACS712 读取那一刻的消耗量，所以，我需要做一个每秒累加的方法。问题：非易失性内存有写入限制，所以我需要使用易失性内存。写入易失性存储器是否有一些限制？我们的想法是每秒读取一次 ACS712 并写入易失性存储器，每 10 分钟写入一次非易失性存储器。
2023-05-30 08:48:06
/4096。采集电压 = Vref * ADC_DR / 4096;Vref：参考电压ADC_DR：读取到ADC数据寄存器的值一般使用3.3V为参考电压，则采集到的电压 = ADC_DR*3.3/4096 。2. STM32F4的ADC转换不需要做程序校准。这在HAL库里也可以看出来，官方没有H
2021-08-17 08:26:08
深圳市三佛科技有限公司供应AC-DC非隔离3.3V 400MA小家电电源方案 LP2177AC-DC非隔离3.3V 400MA小家电电源方案 LP2177产品介绍：LP2177 是一款高效率
2020-04-24 11:41:47
1.6-3.6V MCU 8-bit/16-bit Microcontrollers XMEGA AVR RISC 16KB Flash 1.8V/2.5V/3.3V 44-Pin TQFP封装 T/R卷带包装
2018-12-19 12:27:32
我用CH340K做一键下载威廉希尔官方网站
，现在遇到的情况是给CH340K供电使用的是3.3V，芯片的10脚V3接了3.3v，能够与单片机通信，但是复位按钮按下之后会导致单片机进入错误的启动方式，检查发现
2022-07-13 06:32:39
bq4011是一个非易失性262144位静态RAM，按8位组织为32768字。集成控制威廉希尔官方网站
和锂能源提供可靠的非易失性，与标准SRAM的无限写入周期相结合。控制威廉希尔官方网站
持续监测单个5V电源是否超出公差条件。当
2020-09-16 17:15:13
非易失性SRAM（nv SRAM）结合了赛普拉斯行业领先的SRAM技术和一流的SONOS非易失性技术。在正常操作下，nv SRAM的行为类似于使用标准信号和时序的常规异步SRAM。nv SRAM执行
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 适配器来自达拉斯的流行的电池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往会忘记其宝贵的数据。通过这种引脚兼容的铁电 RAM 升级，您可以放心，因为在室温下，它的数据保留时间为 150 年，无需任何电池供电。
2022-07-14 07:51:06
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 内核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的应用程序中，我们需要将安全数据（例如密钥）存储在安全非易失性存储 (SNVS) 区域
2023-04-14 07:38:45
我用的5V的电压 ，然后用了ME6219C将5V的电压转换成了3.3V的电压，3.3V的电压用来给NRF24L01供电，不接NRF，VCC的电压是3.3V，接上NRF后，VCC的电压就变成了4.4V了，接上其他的负载，比如LED灯，电压还是3.3。为什么？
2016-07-14 16:18:53
您好，我使用PIC18F47 K40带5V电源。在端口B，我选择了SPI接口。我打开了SDO和SCK PIN的集合。用一个3.3V的上拉电阻，我可以使用3.5V的奴隶，而不是5V容忍的接口
2019-05-10 12:45:24
STC15W4K48S4使用ds1302 读取的时候显示85.请问是要加上拉电阻么。应该加多大的。（我的电源是3.3v）
2018-05-15 20:46:32
按照 TPS61221的数据手册，其输入电压范围为0.7V-5.5V,当输入电压大于3.3V时，其输出电压不再稳压为3.3V，当输入电压为5V时，其输出为4.7V，这是什么原因呢？是因为其为升压芯片，只能进行升压，而不能降压吗？
2016-02-01 15:52:30
HU3031D 两节干电池升压IC 固定输出电压：3.3V固定输出电压：3.3V输入电压范围1.8V-3.3V输出电流150mA1.2MHz恒定频率从输入端关断负载静态关断电流
2020-09-07 10:39:01
威廉希尔官方网站
显示LT3437,14V至3.3V降压转换器，具有100A无负载静态电流。 LT3437是一款200kHz固定频率，500mA单片降压开关稳压器。其3.3V至80V的输入电压范围使LT3437成为恶劣汽车环境的理想选择
2020-07-16 09:51:39
DN72- 单个LTC1149在17W时提供3.3V和5V电压
2019-07-02 06:29:25
概述:DS3902是一款双路、非易失(NV)、低温度系数的可变数字电阻，提供256级用户选择。DS3902可以在2.4V至5.5V的宽电源范围内工作，通过I²C兼容的串行接口与该器件通信。内部地址设置功能通过编程使DS3902从地址置为128个可用地址之
2021-05-17 07:29:10
嗨， LSM6DS33的典型电源电压为1.8V，最大限制为3.6V。如果连续为设备提供3.3V的电源电压，这样可以吗？ 问候，Prachi＃lsm6ds33以上来自于谷歌翻译以下为原文 Hi
2018-09-14 09:54:59
STEVAL-IHT005V2，演示板旨在为家电应用提供完整的解决方案。在IEC61000-4-4（突发）测试期间，特别强调基于A类4 kV电平的强大的全3.3V解决方案的演示。该板还允许设计人
2020-07-26 11:48:14
亲爱;我有Spartan™-3AN非易失性FPGA入门套件，我编写了VHDL程序，用于地址分配到与FPGA芯片接口的两个外部ROM。程序有（16位输入端口）和（16位输出端口），问题是：如何使用该套件在FPGA芯片上下载程序？如何确定哪个输入引脚和哪个是输出引脚？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
我应该用什么API来存储非易失性数据？我使用CYW43907，手册上说它支持外部闪存。我想知道我是否应该使用WiDeDssFlash写来存储数据，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
(SPI-SRAM)64Kbit 8Kx8 IP12B064C-TU 3.3V 20MHz E Tube TSSOP-8128Kbit 16Kx8 IP12B128C-TU 3.3V 20MHz E Tube
2013-08-23 11:00:03
有谁用过DS1250w存储芯片
2021-09-15 13:35:22
我想用非易失性密钥获取CMAC值（仅验证甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”项目。初始化 CSEc 模块后，我使用给定的指令加载密钥 ROM
2023-04-10 06:34:32
求个CH582 adc0~3.3v0~4096 AD值程序 高精度的可以切换不同档位我不知道程序怎么写哦？？我是热敏电阻测量温度哦
2022-09-19 07:35:22
哪位哥们用个64K 8位、3.3v供电的RAM 帮提供两个型号呗！
2019-01-14 06:36:13
我想使用TI的电源模块PTR08060W（输入4.5V~14V转0.6V~5.5V6A电流能力）产生一个-3.3V（2A）。能否将Vin直接连接-5V使得Vout输出-3.3V还是将Vin连接+5V
2019-04-09 06:28:14
采用LT1934进行3.3V电压转换输出，输入电压为13.5V，输出电压3.3V。参考手册上典型威廉希尔官方网站
进行设计，实测VIN=10V,输出开路状态下静态电流为30ua-230ua之间跳变，多数时间维持在
2024-01-04 07:26:21
The DS90C3202 is a 3.3V single/dual FPD-Link 10-bit colorreceiver is designed to be used in Liquid
2009-10-14 10:12:17
11 The DS90C3201 is a 3.3V single/dual FPD-Link 10-bit colortransmitter is designed to be used
2009-10-14 10:26:4711 DS1249 2048k非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制威廉希尔官方网站
，控制威廉希尔官方网站
连续监视VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
DS1265 8M非易失SRAM为8,388,608位、全静态非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制威廉希尔官方网站
，控制威廉希尔官方网站
连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:13:33
DS1270 16M非易失SRAM为16,777,216位、全静态非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制威廉希尔官方网站
，控制威廉希尔官方网站
连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:18:27
DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制威廉希尔官方网站
，控制威廉希尔官方网站
连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:20:44
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制威廉希尔官方网站
，控制威廉希尔官方网站
连续监视VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM为16,384位、全静态NV SRAM，按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制威廉希尔官方网站
，控制威廉希尔官方网站
连续监视VCC
2023-07-21 15:28:06
DS1225AB及DS1225AD为65,536位、全静态非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制威廉希尔官方网站
，控制威廉希尔官方网站
连续监视VCC是否超出容差范围，一旦
2023-07-21 15:29:48
DS1230 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制威廉希尔官方网站
，控制威廉希尔官方网站
连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:37:16
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、完全静态的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制威廉希尔官方网站
，控制威廉希尔官方网站
连续监视VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及控制威廉希尔官方网站
，控制威廉希尔官方网站
连续监视VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
具有隐含时钟的DS1244 256k、NV SRAM为全静态非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，内置实时时钟。DS1244自带锂电池及控制威廉希尔官方网站
，控制威廉希尔官方网站
连续监视VCC是否
2023-07-21 16:58:16
具有隐含时钟的DS1248 1024k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、128k字排列)，内置实时时钟。DS1248自带锂电池及控制威廉希尔官方网站
，控制威廉希尔官方网站
连续监视VCC是否超出容差范围，一旦
2023-07-24 09:29:49
具有隐含时钟的DS1251 4096k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、512k字排列)，内置实时时钟。DS1251Y自带锂电池及控制威廉希尔官方网站
，控制威廉希尔官方网站
连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-24 09:32:13
DS1350 4096k非易失(NV) SRAM为4,194,304位、全静态NV SRAM，
2010-10-21 09:01:27
888 DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电
2010-10-21 09:03:59888 DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控
2010-10-21 09:06:321002 DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，
2010-10-22 08:58:38925 
DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电
2010-10-22 09:00:581417 
DS1330W 3.3V、256k NV SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制威廉希尔官方网站
，控制
2010-10-22 09:04:04998 
DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM为8,388,608位、全静态NV SRAM，按
2010-11-07 09:37:51770 
DS1225AB及DS1225AD为65,536位、全静态非易失(NV) SRAM，按照
2010-11-10 09:36:271532 
DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制威廉希尔官方网站
2010-11-24 09:47:28976 
DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM自带锂电池及控制威廉希尔官方网站
，控
2010-11-24 09:53:311843 
DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及
2010-12-07 10:18:011420 
具有隐含时钟的DS1251 4096k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、512k字排列)，内置实时时钟。
2012-01-04 10:41:50905 
The DS1251 4096K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 512K
2012-01-04 11:30:5218 DS1086L EconOscillator™是一种3.3V、可编程时钟发生器，可产生频率在130kHz至66.6MHz、经过频谱扩展(抖动)的方波输出。
2012-03-22 15:45:06863 
3.3V—5V连接技巧与诀窍3.3V—5V连接技巧与诀窍3.3V—5V连接技巧与诀窍3.3V—5V连接技巧与诀窍3.3V—5V连接技巧与诀窍3.3V—5V连接技巧与诀窍3.3V—5V连接技巧与诀窍
2015-12-14 14:11:200 The AS7C3256A is a 3.3V high-performance CMOS 262，144-bit Static Random-Access Memory （SRAM） device
2017-09-20 09:32:584
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